SRAM、閃存或ROM存儲高壓應用的DC/DC轉換器SIP90
發布時間:2020/12/31 0:34:34 訪問次數:535
價格低于$20的高壓應用的DC/DC轉換器SIP90,輸出電壓從低于10V到90V,輸出電流高達1mA。很適合用在雪崩光電二極管偏壓中,它的占位面積僅為29.2x4.06mm,高度為13.97mm。
轉換器的輸入電壓從2.7V 到6.7V,可編程電壓從0V到4.5V。它的波紋電壓小于2 mVp-p,線和負載調整分別為0.06% 和0.025%。溫度系數低于200ppm/度。加電后輸出功率變化每小時小于0.01%。
功能:
Lockbox™ 安全技術:
2個雙通道、
全雙工同步串行端口,
支持8個立體聲I2S通道
12個外設DMA通道,
支持一維和二維數據傳輸
NAND閃存控制器,
配有8位接口,
支持命令、地址和數據
以太網10/100 MII接口
內存控制器為多個外部SDRAM、
SRAM、閃存或ROM存儲提供無縫連接
低處理器待機功耗:
289引腳、
12x12 mm、
小型BGA
產品描述:
ADSP-BF526C
高性能16/32位Blackfin嵌入式處理器內核、
靈活的高速緩存架構、
增強型DMA子系統
以及動態電源管理(DPM)功能,
使系統設計人員擁有一個靈活
平臺來處理各種便攜式應用,
包括消費電子、通信、
工業和儀器儀表。
晶體管/肖特基二極管組合封裝器件ZX3CD和ZXMxS系列,有N-MOSFET和P-MOSFET以及NPN和PNP雙極管不同版本,封裝尺寸為3x2x0.9mm,比通常的SM8封裝小88%。
雙極器件的指標包括有Ic電流在3A到4.5A之間,1A時的飽和壓降VCE(sat)在140和20mV之間和飽和電阻RCE(sat) 在47 和104 mW,額定電壓有12,20和40V三種。MOSFET的指標包括有漏極電流Id在0.3-2A之間,導通電阻RDS(on) 在180 和900 mW之間, 漏源擊穿電壓BVDSS 在0 和40 V之間。
價格低于$20的高壓應用的DC/DC轉換器SIP90,輸出電壓從低于10V到90V,輸出電流高達1mA。很適合用在雪崩光電二極管偏壓中,它的占位面積僅為29.2x4.06mm,高度為13.97mm。
轉換器的輸入電壓從2.7V 到6.7V,可編程電壓從0V到4.5V。它的波紋電壓小于2 mVp-p,線和負載調整分別為0.06% 和0.025%。溫度系數低于200ppm/度。加電后輸出功率變化每小時小于0.01%。
功能:
Lockbox™ 安全技術:
2個雙通道、
全雙工同步串行端口,
支持8個立體聲I2S通道
12個外設DMA通道,
支持一維和二維數據傳輸
NAND閃存控制器,
配有8位接口,
支持命令、地址和數據
以太網10/100 MII接口
內存控制器為多個外部SDRAM、
SRAM、閃存或ROM存儲提供無縫連接
低處理器待機功耗:
289引腳、
12x12 mm、
小型BGA
產品描述:
ADSP-BF526C
高性能16/32位Blackfin嵌入式處理器內核、
靈活的高速緩存架構、
增強型DMA子系統
以及動態電源管理(DPM)功能,
使系統設計人員擁有一個靈活
平臺來處理各種便攜式應用,
包括消費電子、通信、
工業和儀器儀表。
晶體管/肖特基二極管組合封裝器件ZX3CD和ZXMxS系列,有N-MOSFET和P-MOSFET以及NPN和PNP雙極管不同版本,封裝尺寸為3x2x0.9mm,比通常的SM8封裝小88%。
雙極器件的指標包括有Ic電流在3A到4.5A之間,1A時的飽和壓降VCE(sat)在140和20mV之間和飽和電阻RCE(sat) 在47 和104 mW,額定電壓有12,20和40V三種。MOSFET的指標包括有漏極電流Id在0.3-2A之間,導通電阻RDS(on) 在180 和900 mW之間, 漏源擊穿電壓BVDSS 在0 和40 V之間。