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SRAM、閃存或ROM存儲高壓應用的DC/DC轉換器SIP90

發布時間:2020/12/31 0:34:34 訪問次數:535

價格低于$20的高壓應用的DC/DC轉換器SIP90,輸出電壓從低于10V到90V,輸出電流高達1mA。很適合用在雪崩光電二極管偏壓中,它的占位面積僅為29.2x4.06mm,高度為13.97mm。

轉換器的輸入電壓從2.7V 到6.7V,可編程電壓從0V到4.5V。它的波紋電壓小于2 mVp-p,線和負載調整分別為0.06% 和0.025%。溫度系數低于200ppm/度。加電后輸出功率變化每小時小于0.01%。

功能:

Lockbox™ 安全技術:

2個雙通道、

全雙工同步串行端口,

支持8個立體聲I2S通道

12個外設DMA通道,

支持一維和二維數據傳輸

NAND閃存控制器,

配有8位接口,

支持命令、地址和數據

以太網10/100 MII接口

內存控制器為多個外部SDRAM、

SRAM、閃存或ROM存儲提供無縫連接

低處理器待機功耗:

289引腳、

12x12 mm、

小型BGA

產品描述:

ADSP-BF526C

高性能16/32位Blackfin嵌入式處理器內核、

靈活的高速緩存架構、

增強型DMA子系統

以及動態電源管理(DPM)功能,

使系統設計人員擁有一個靈活

平臺來處理各種便攜式應用,

包括消費電子、通信、

工業和儀器儀表。

晶體管/肖特基二極管組合封裝器件ZX3CD和ZXMxS系列,有N-MOSFET和P-MOSFET以及NPN和PNP雙極管不同版本,封裝尺寸為3x2x0.9mm,比通常的SM8封裝小88%。

雙極器件的指標包括有Ic電流在3A到4.5A之間,1A時的飽和壓降VCE(sat)在140和20mV之間和飽和電阻RCE(sat) 在47 和104 mW,額定電壓有12,20和40V三種。MOSFET的指標包括有漏極電流Id在0.3-2A之間,導通電阻RDS(on) 在180 和900 mW之間, 漏源擊穿電壓BVDSS 在0 和40 V之間。


(素材來源:eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

價格低于$20的高壓應用的DC/DC轉換器SIP90,輸出電壓從低于10V到90V,輸出電流高達1mA。很適合用在雪崩光電二極管偏壓中,它的占位面積僅為29.2x4.06mm,高度為13.97mm。

轉換器的輸入電壓從2.7V 到6.7V,可編程電壓從0V到4.5V。它的波紋電壓小于2 mVp-p,線和負載調整分別為0.06% 和0.025%。溫度系數低于200ppm/度。加電后輸出功率變化每小時小于0.01%。

功能:

Lockbox™ 安全技術:

2個雙通道、

全雙工同步串行端口,

支持8個立體聲I2S通道

12個外設DMA通道,

支持一維和二維數據傳輸

NAND閃存控制器,

配有8位接口,

支持命令、地址和數據

以太網10/100 MII接口

內存控制器為多個外部SDRAM、

SRAM、閃存或ROM存儲提供無縫連接

低處理器待機功耗:

289引腳、

12x12 mm、

小型BGA

產品描述:

ADSP-BF526C

高性能16/32位Blackfin嵌入式處理器內核、

靈活的高速緩存架構、

增強型DMA子系統

以及動態電源管理(DPM)功能,

使系統設計人員擁有一個靈活

平臺來處理各種便攜式應用,

包括消費電子、通信、

工業和儀器儀表。

晶體管/肖特基二極管組合封裝器件ZX3CD和ZXMxS系列,有N-MOSFET和P-MOSFET以及NPN和PNP雙極管不同版本,封裝尺寸為3x2x0.9mm,比通常的SM8封裝小88%。

雙極器件的指標包括有Ic電流在3A到4.5A之間,1A時的飽和壓降VCE(sat)在140和20mV之間和飽和電阻RCE(sat) 在47 和104 mW,額定電壓有12,20和40V三種。MOSFET的指標包括有漏極電流Id在0.3-2A之間,導通電阻RDS(on) 在180 和900 mW之間, 漏源擊穿電壓BVDSS 在0 和40 V之間。


(素材來源:eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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