光纖和雙絞線接口和工業標準微型元件或物理媒體層模塊接口
發布時間:2023/5/24 21:43:20 訪問次數:40
一個或兩個光纖和雙絞線接口，采用正發射極耦合邏輯/低壓正向發射極耦合邏輯(PECL/LVPECL)兼容模塊，能和工業標準的微型光纖元件或物理媒體層(PMD)模塊接口。
產品的工作電壓為3.3V，可用在單/多端口10/100自動談判媒體轉換器，單/多端口100Base-FX/SX到100Base-TX媒體轉換器，單/多模光纖轉換器，網絡接口卡，中繼器，橋，集線器，交換和路由器的光纖光前端，住宅連接和網關/分隔產品，冗余鏈接轉換器以及波長轉換器等。
制造商:Infineon 產品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術:Si 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續漏極電流:180 A Rds On-漏源導通電阻:2.7 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:100 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:200 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 配置:Single 高度:15.65 mm 長度:10 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:4.4 mm 商標:Infineon Technologies 正向跨導 - 最小值:170 S 下降時間:58 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:110 ns 工廠包裝數量:1000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:36 ns 典型接通延遲時間:18 ns 單位重量:6 g
可配置的結構也允許定制以滿足特殊用戶的需要如等待時間和帶寬。
設計新的多端口DDR 存儲器控制器，我們集中在把多主控子系統的性能最大化，提供高度可配置內核給不用定制的標準和能定制DDR控制器前端接口的兩種不同的用戶。
多端口DDR存儲器控制器完全支持LSI Logic 公司的CoreWare®程序，使它很容易用預先設計和預先驗證的內核庫以及客戶設計的邏輯電路來進行集成。
多端口DDR 存儲器控制器的靈活可配置，支持大范圍的系統要求和DDR存儲器器件。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
福建芯鴻科技有限公司http://xhkjgs.51dzw.com
一個或兩個光纖和雙絞線接口，采用正發射極耦合邏輯/低壓正向發射極耦合邏輯(PECL/LVPECL)兼容模塊，能和工業標準的微型光纖元件或物理媒體層(PMD)模塊接口。
產品的工作電壓為3.3V，可用在單/多端口10/100自動談判媒體轉換器，單/多端口100Base-FX/SX到100Base-TX媒體轉換器，單/多模光纖轉換器，網絡接口卡，中繼器，橋，集線器，交換和路由器的光纖光前端，住宅連接和網關/分隔產品，冗余鏈接轉換器以及波長轉換器等。
制造商:Infineon 產品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術:Si 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續漏極電流:180 A Rds On-漏源導通電阻:2.7 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:100 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:200 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 配置:Single 高度:15.65 mm 長度:10 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:4.4 mm 商標:Infineon Technologies 正向跨導 - 最小值:170 S 下降時間:58 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:110 ns 工廠包裝數量:1000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:36 ns 典型接通延遲時間:18 ns 單位重量:6 g
可配置的結構也允許定制以滿足特殊用戶的需要如等待時間和帶寬。
設計新的多端口DDR 存儲器控制器，我們集中在把多主控子系統的性能最大化，提供高度可配置內核給不用定制的標準和能定制DDR控制器前端接口的兩種不同的用戶。
多端口DDR存儲器控制器完全支持LSI Logic 公司的CoreWare®程序，使它很容易用預先設計和預先驗證的內核庫以及客戶設計的邏輯電路來進行集成。
多端口DDR 存儲器控制器的靈活可配置，支持大范圍的系統要求和DDR存儲器器件。
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