NIS3001填補了這項技術空缺，它在1MHz下能提供高達20安培的電流。它還能將先進微處理器平臺上的電源功效提升4%。NIS3001率先采用安森美半導體創新的PInPAK?(電源集成封裝)技術。該技術理念包括在標準QFN封裝內裝配模擬驅動器裸芯片。然后該模擬QFN連同兩塊MOSFET裸芯片共同封裝在一個主電源QFN導線架內。整個模塊以Mold Array Process (MAP)塑模。

NIS3001應用在符合VRM 9和VRM 10電源規范的直流/直流轉換器和通信降壓轉換器上，它設計簡潔，寄生電感極低，轉換性能良好。

制造商: Mini-Circuits

產品種類: 射頻放大器

RoHS: 詳細信息

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: MCLP-8

類型: Low Noise Amplifier

技術: Si

工作頻率: 0.4 GHz to 3 GHz

P1dB - 壓縮點: 17.3 dBm

增益: 9.1 dB

工作電源電壓: 3 V

NF—噪聲系數: 0.78 dB

測試頻率: 3 GHz

OIP3 - 三階截點: 38.6 dBm

工作電源電流: 56 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

系列: PMA2

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

商標: Mini-Circuits

通道數量: 1 Channel

輸入返回損失: 12.3 dB

Pd-功率耗散: 0.5 W

產品類型: RF Amplifier

工廠包裝數量: 2000

子類別: Wireless & RF Integrated Circuits

單位重量: 4.885 g

ML8627S作為不需冷卻的器件，用戶能節省模塊的空間，降低成本，因為不需要熱控制器。

ML861E5S的指標：輸出功率為500mW(25度C的典型值)；閾值電流為110mA(25度C的典型值)；反射率小于1%；激光束分散度：平行8度，垂直19度；縱橫比小于2.5。

M8627S的指標：輸出功率為200mW(25度C的典型值);閾值電流為70mA(25度C的典型值)；波長穩定度：980 +/- 10 nm (0-200 mW; 0-70 度C)；激光束分散度：平行8度，垂直19度；縱橫比小于2.5。

現在可提供ML861E5S的樣品，封裝為TO-CAN或載體上芯片.

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）