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串行并聯接口NLSF595的靜態供電電流1.0微安

發布時間:2021/1/14 18:23:42 訪問次數:287

新型DC-DC轉換器還能將電源或電池的滿負載,即+5.0V輸入分壓或倍壓,在分壓模式下提供+2.25V輸出,而在倍壓模式下提供+9.5V輸出。

FAN5660的推出全面配合我們的電源管理戰略,為客戶提供高效功率轉換解決方案。FAN5660在滿負載下具有極高的轉換效率,可為便攜及手持設備的電池延長壽命。

振蕩器可在高頻或低頻下工作。當選擇較低的5kHz工作頻率時,靜態電流會降至很低,而在較高的50KHz工作頻率下可使用更小的電容器。

制造商:ON Semiconductor 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:P-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id

通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:0.94 mm 長度:2.9 mm 產品:MOSFET Small Signal 晶體管類型:1 P-Channel 類型:MOSFET 寬度:1.3 mm 商標:ON Semiconductor 下降時間:3 ns

產品類型:MOSFET 上升時間:9 ns 工廠包裝數量3000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:9 ns 典型接通延遲時間:7 ns 單位重量:8 mg

NLSF595與現有串行并聯接口(SPI)行業標準接口,僅使用三根引線。

在25° C(典型值)下,NLSF595的靜態供電電流低于1.0微安,幾乎為零,是以電池為能源的設備的理想選擇。

安森美半導體的NLSF595提供創新的業界標準四方扁平無引線(QFN)封裝,作為器件的封裝選擇之一。這種16引線的QFN封裝面積為3 X 3 mm,且有很大的中心區域用于焊接。

FAN5660充電泵具有內置振蕩器電路,可以靈活選擇適當的工作頻率。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


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振蕩器可在高頻或低頻下工作。當選擇較低的5kHz工作頻率時,靜態電流會降至很低,而在較高的50KHz工作頻率下可使用更小的電容器。

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通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:0.94 mm 長度:2.9 mm 產品:MOSFET Small Signal 晶體管類型:1 P-Channel 類型:MOSFET 寬度:1.3 mm 商標:ON Semiconductor 下降時間:3 ns

產品類型:MOSFET 上升時間:9 ns 工廠包裝數量3000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:9 ns 典型接通延遲時間:7 ns 單位重量:8 mg

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在25° C(典型值)下,NLSF595的靜態供電電流低于1.0微安,幾乎為零,是以電池為能源的設備的理想選擇。

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(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


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