兩個GaN Systems 650-V GaN E-mode晶體管（用于30A版本的GS66508B和用于60A版本的GS66516T）以及所有必要的電路，包括半橋柵極驅動器，隔離式電源和可選的散熱器。借助該演示板，設計人員可以使用通用母板（P / N：GS665MB-EVB）或他們自己的系統設計，評估任何基于半橋拓撲的GaN E模式性能。

功率級設計可用于各種應用，包括企業級1U電源（最高5 kW），高功率密度無橋圖騰柱PFC，光伏逆變器，能量存儲系統，電機驅動器和汽車DC / DC轉換器和車載充電器。

制造商:Texas Instruments 產品種類:LVDS 接口集成電路 RoHS:N 類型:CMOS 激勵器數量:4 Driver 接收機數量:4 Receiver 數據速率:400 Mb/s 輸入類型:LVDS 輸出類型:LVTTL 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 

最小輸入電壓:- 100 mV 工作電源電流:15 mA 工作電源電壓:3.3 V Pd-功率耗散:866 mW 產品類型:LVDS Interface IC 傳播延遲時間:3.3 ns 工廠包裝數量:92 子類別:Interface ICs 單位重量:63 mg

目前Biscayne平臺支持QNX® RTOS (6.2)，將來的軟件計劃支持包括其它的操作系統(用于汽車電子的VxWorks®, Windows® CE和Linux®)，Java(IBM®, OTI and Sun Java ® Virtual Machine)和中間設備(語音識別，回聲消除等)。

為了容易系統調試，Hitachi提供實時仿真和源碼級調試的E10A JTAG連接的調試器。Hitachi的嵌入式工作間(HEW)支持代碼開發。HEW包提供靈活的代碼開發環境，包括有項目方案產生，工具配置，版本控制，圖形分析和調試控制能力。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）