器件的發射極直接擴散進P網孔層N+帶狀代替單元
發布時間:2021/1/21 20:13:47 訪問次數:568
200A電流的IGBT系列STGE200NB60S，在大電流時的正向壓降很低。這種器件保證有低的導通損耗而沒有采用重金屬摻雜或電輻射的方法來降低少數載流子的壽命。
該器件可用在鋁焊接機和感應加熱設備以及不間斷電源(UPS)和開關電源(SMPS)。
STGE200NB60S是ST公司PowerMESH IGBT系列中一員，它采用專利的帶狀布局。
"網孔覆蓋"技術是基于帶狀的新型高壓工藝，它由擴散到IGBT N型外延層的P型網孔結構組成。N+帶狀代替單元，使器件的發射極直接擴散進P網孔層。
峰值發送波長是紅外940nm。表面安裝省去了過孔引腳或導線，使體積更小。集電極電流(Icon)最小為100μA，最大為600μA，集電極-發射極飽和壓降(Vcesat)最大為0l.4V,工作溫度(Topr)為-55度到+100度，回流焊接溫度峰值為240度。
工業上要制造更小尺寸如90納米或更小的尺寸浮置柵閃存是不可能的。在這樣的尺寸，要用9-12V的高壓晶體管來寫和擦除閃存，變得太貴了。同時，工程師也不能降低浮置柵閃存的高壓而不影響到可靠性，而冒存儲器失效和數據丟失的風險。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
200A電流的IGBT系列STGE200NB60S，在大電流時的正向壓降很低。這種器件保證有低的導通損耗而沒有采用重金屬摻雜或電輻射的方法來降低少數載流子的壽命。
該器件可用在鋁焊接機和感應加熱設備以及不間斷電源(UPS)和開關電源(SMPS)。
STGE200NB60S是ST公司PowerMESH IGBT系列中一員，它采用專利的帶狀布局。
"網孔覆蓋"技術是基于帶狀的新型高壓工藝，它由擴散到IGBT N型外延層的P型網孔結構組成。N+帶狀代替單元，使器件的發射極直接擴散進P網孔層。
峰值發送波長是紅外940nm。表面安裝省去了過孔引腳或導線，使體積更小。集電極電流(Icon)最小為100μA，最大為600μA，集電極-發射極飽和壓降(Vcesat)最大為0l.4V,工作溫度(Topr)為-55度到+100度，回流焊接溫度峰值為240度。
工業上要制造更小尺寸如90納米或更小的尺寸浮置柵閃存是不可能的。在這樣的尺寸，要用9-12V的高壓晶體管來寫和擦除閃存，變得太貴了。同時，工程師也不能降低浮置柵閃存的高壓而不影響到可靠性，而冒存儲器失效和數據丟失的風險。
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