1500Vrms絕緣和350mA電流容量的存儲器密度
發布時間:2021/1/30 22:45:05 訪問次數:697
這種技術稱作"雙芯片堆棧",第二個硅芯片在第一個芯片之上,把芯片堆棧在規則的雖然較高的精細間隔的球柵陣列封裝.
這種創新的堆棧方式允許Infineon不僅能得到空前的存儲器密度.
而且能對由此得到的存儲器提供優越的電性能和熱性能.作為一種選擇,4GB注冊DIMM也可用基于TSOP封裝的堆棧型來提供.
1Gb DDR SDRAM主要用來提供高密度注冊和無緩沖器的模塊,用于高端服務器和工作站市場.
封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 長度:6.5 mm 系列:CoolMOS P7 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:6.22 mm 商標:Infineon Technologies 下降時間:61 ns 濕度敏感性:Yes 產品類型:MOSFET 上升時間:4.9 ns 工廠包裝數量:2500 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:63 ns 典型接通延遲時間:12 ns 零件號別名:IPD70R1K4P7S SP001491632 單位重量:340 mg
高輸入阻抗使每個變壓器對現有的以太網系統是透明的,即刻升級了連接.這種升級能對現有的有PoE功能的系統降低成本,縮短了產品走向市場的時間.
該元件能提供15W功率,用以遙控100米以外的設備,使它們很適合用在遙控供電應用如安全照相機設備,無線網絡系統,遙控傳感器和變換器以及VoIP電話.
該模塊能提供大于1500Vrms絕緣和350mA電流容量,工作溫度在0-70度C.所有這三種產品都和貼片機的制造工藝兼容,能進行Auto MDIX應用.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
這種技術稱作"雙芯片堆棧",第二個硅芯片在第一個芯片之上,把芯片堆棧在規則的雖然較高的精細間隔的球柵陣列封裝.
這種創新的堆棧方式允許Infineon不僅能得到空前的存儲器密度.
而且能對由此得到的存儲器提供優越的電性能和熱性能.作為一種選擇,4GB注冊DIMM也可用基于TSOP封裝的堆棧型來提供.
1Gb DDR SDRAM主要用來提供高密度注冊和無緩沖器的模塊,用于高端服務器和工作站市場.
封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 長度:6.5 mm 系列:CoolMOS P7 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:6.22 mm 商標:Infineon Technologies 下降時間:61 ns 濕度敏感性:Yes 產品類型:MOSFET 上升時間:4.9 ns 工廠包裝數量:2500 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:63 ns 典型接通延遲時間:12 ns 零件號別名:IPD70R1K4P7S SP001491632 單位重量:340 mg
高輸入阻抗使每個變壓器對現有的以太網系統是透明的,即刻升級了連接.這種升級能對現有的有PoE功能的系統降低成本,縮短了產品走向市場的時間.
該元件能提供15W功率,用以遙控100米以外的設備,使它們很適合用在遙控供電應用如安全照相機設備,無線網絡系統,遙控傳感器和變換器以及VoIP電話.
該模塊能提供大于1500Vrms絕緣和350mA電流容量,工作溫度在0-70度C.所有這三種產品都和貼片機的制造工藝兼容,能進行Auto MDIX應用.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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