QPC1251Q開關有源鉗位反激拓撲的GaN集成化解決方案
發布時間:2021/4/3 13:51:08 訪問次數:282
Qorvo 提供兩個版本的新型 AECQ 級開關:QPC1251Q適用于eCall;QPC1252Q適用于雙卡雙通 (DSDA) eCall。
與傳統的分立式開關設計相比,兩款開關都可以節省高達 50% 的電路板空間,并具有高達 +29 dBm的熱切換能力,適用于所有遠程通信控制單元 (TCU) 配置。
此外,它們還可以減少高達 1 dB 的插入損耗,從而盡可能提高傳遞到外部eCall天線陣列的有效功率。即使在信號受限的區域,也可以充分減少熱量,實現更好的蜂窩和 5G 連接。
制造商:Analog Devices Inc.產品種類:電流靈敏放大器RoHS: 系列:通道數量:1 ChannelGBP-增益帶寬產品:250 kHzVcm - 共模電壓:- 2 V to 70 VCMRR - 共模抑制比:90 dBVos - 輸入偏置電壓 :200 uV電源電壓-最大:5.5 V電源電壓-最小:2.7 V工作電源電流:4.1 mA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 C安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:MSOP-8封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel描述/功能:High voltage, high resolution current shunt amplifier輸出電壓:0.032 V產品:Current Sense Amplifiers商標:Analog Devices產品類型:Current Sense Amplifiers3000子類別:Amplifier ICs單位重量:140 mg
基于MasterGaN®平臺的創新優勢,意法半導體推出了MasterGaN2,作為新系列雙非對稱氮化鎵(GaN)晶體管的首款產品,是一個適用于軟開關有源鉗位反激拓撲的GaN集成化解決方案。
兩個650V常關型GaN晶體管的導通電阻 (RDS(on))分別是150mΩ和225mΩ,每個晶體管都集成一個優化的柵極驅動器,使GaN晶體管像普通硅器件一樣便捷易用。
集成了先進的驅動功能和GaN本身固有性能優勢,MasterGaN2可進一步提升有源鉗位反激式變換器等拓撲電路的高能效、小體積和輕量化優勢。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
Qorvo 提供兩個版本的新型 AECQ 級開關:QPC1251Q適用于eCall;QPC1252Q適用于雙卡雙通 (DSDA) eCall。
與傳統的分立式開關設計相比,兩款開關都可以節省高達 50% 的電路板空間,并具有高達 +29 dBm的熱切換能力,適用于所有遠程通信控制單元 (TCU) 配置。
此外,它們還可以減少高達 1 dB 的插入損耗,從而盡可能提高傳遞到外部eCall天線陣列的有效功率。即使在信號受限的區域,也可以充分減少熱量,實現更好的蜂窩和 5G 連接。
制造商:Analog Devices Inc.產品種類:電流靈敏放大器RoHS: 系列:通道數量:1 ChannelGBP-增益帶寬產品:250 kHzVcm - 共模電壓:- 2 V to 70 VCMRR - 共模抑制比:90 dBVos - 輸入偏置電壓 :200 uV電源電壓-最大:5.5 V電源電壓-最小:2.7 V工作電源電流:4.1 mA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 C安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:MSOP-8封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel描述/功能:High voltage, high resolution current shunt amplifier輸出電壓:0.032 V產品:Current Sense Amplifiers商標:Analog Devices產品類型:Current Sense Amplifiers3000子類別:Amplifier ICs單位重量:140 mg
基于MasterGaN®平臺的創新優勢,意法半導體推出了MasterGaN2,作為新系列雙非對稱氮化鎵(GaN)晶體管的首款產品,是一個適用于軟開關有源鉗位反激拓撲的GaN集成化解決方案。
兩個650V常關型GaN晶體管的導通電阻 (RDS(on))分別是150mΩ和225mΩ,每個晶體管都集成一個優化的柵極驅動器,使GaN晶體管像普通硅器件一樣便捷易用。
集成了先進的驅動功能和GaN本身固有性能優勢,MasterGaN2可進一步提升有源鉗位反激式變換器等拓撲電路的高能效、小體積和輕量化優勢。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)