SHARC處理器是基于SHARC+®單核,具有Super Harvard架構,是32位/40位/64位浮點處理器,具有大容量片上SRAM,多種內部總線消除輸入/輸出(I/O)瓶頸,具有創新的數字音頻接口(DAI),最適合用在高性能音頻/浮點應用.

SHARC+處理核新增加的功能包括緩存增強功能和分支預測,而同時保持了以前SHARC產品的指令集功能.SHARC+處理器集成了豐富的業界一流系統外設和存儲器,是需要相似于精簡指令集(RISC)編程的應用平臺的選擇,并支持多媒體和一流邊沿信號處理.

制造商:    Infineon    

產品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細信息  

技術:    Si    

安裝風格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    150 V    

Id-連續漏極電流:    56 A    

Rds On-漏源導通電阻:    16 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    3 V    

Qg-柵極電荷:    19 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    96 W    

通道模式:    Enhancement    

商標名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

長度:   5.9 mm  

系列:   OptiMOS 5  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   5.15 mm  

商標:   Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值:   20 S  

下降時間:   2.6 ns  

產品類型:   MOSFET  

上升時間:   3 ns  

工廠包裝數量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關閉延遲時間:   10.8 ns  

典型接通延遲時間:   9.6 ns  

零件號別名:  BSC160N15NS5 SP001181422  

單位重量:  110 mg

SiC的獨特高溫特性和低開關損耗優勢，這一結溫不斷提升的趨勢將大大改變電力系統的設計格局。

這些目前典型的、未來還將出現的高溫、高功率密度應用，包括深度整合的電動汽車動力總成、多電和全電飛機乃至電動飛機、移動儲能充電站和充電寶，以及其他各種液體冷卻受到嚴重限制的電力應用。

CISSOID IPM 智能功率模塊除采用了國際上最流行的SiC MOSFET芯片外，我們也與中國國內的SiC芯片廠商開展深入合作，也相繼推出了基于中國國產SiC MOSFET的IPM模塊（CXT－PLA3SA550CA 和CMT－PLA3SB340CA）.

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）