CISSOID提供的高溫芯片和模塊技術，已在石油鉆探等領域內的長期應用中得到了充分的驗證，可以滿足業內最苛刻的應用需求。

新型SiC智能功率模塊瞄準了航空和其他特殊工業應用，特別針對其中緊湊輕便的功率轉換器所要求的自然對流或背板冷卻而設計。

CISSOID 獨特的耐高溫技術平臺將大力推動電動汽車動力總成系統的深度整合，以針對電動汽車市場的初期需求。

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制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續漏極電流: 60 A

Rds On-漏源導通電阻: 9.8 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V

Qg-柵極電荷: 22 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 5

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 28 S

下降時間: 4 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 5 ns

工廠包裝數量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 17 ns

典型接通延遲時間: 10 ns

零件號別名: BSC098N10NS5 SP001241598

單位重量: 156mm

MAX19794是10MHz-500MHz頻率的雙路通用模擬可變電壓衰減器(VVA),設計用于50歐姆系統,包括專用控制電路,提供22.4dB衰減,典型線性控制斜率為8dB/V.

MAX19794是單片器件,采用該公司的專有的SiGeBiCMOS工藝,工作單5V電壓或+3.3V電壓.

兩個衰減器采用共同的確模擬控制,可以級聯起來以得到44.7dB的總衰減,典型的組合線性控制斜率為16dB/V(5V工作).

片上4線SPI控制的10位DAC能用來控制兩個衰減器.

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）