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新型Vishay Siliconix SQJA81EP導通電阻達到80Vp溝道器件

發布時間:2021/5/1 23:51:58 訪問次數:202

新型Vishay Siliconix SQJA81EP導通電阻達到80 V p溝道器件優異水平,可提高汽車應用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結構5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK® SO-8L小型單體封裝,10 V條件下最大導通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。

日前發布的汽車級MOSFET導通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %,比前代解決方案低31 %,占位面積減小50 %,有助于降低導通功耗,節省能源,同時增加功率密度提高輸出。

SQJA81EP鷗翼引線結構還有助于提高自動光學檢測(AOI)功能,消除機械應力,提高板級可靠性。

制造商 Infineon Technologies  

系列 OptiMOS™  

包裝 卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel®  

零件狀態 有源  

FET 類型 N 通道  

技術 MOSFET(金屬氧化物)  

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 11A(Ta),40A(Tc)  

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 8 毫歐 @ 20A,10V  

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA  

Vgs(最大值) ±20V  

FET 功能 

功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),35W(Tc)  

工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)  

安裝類型 表面貼裝型  

供應商器件封裝 PG-TSDSON-8  

封裝/外殼 8-PowerTDFN  

漏源電壓(Vdss) 30V  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 2100pF @ 15V  

基本產品編號 BSZ088  

在開關電源設計中,實現低EMI電源和小解決方案尺寸通常是相互矛盾的。

而LM25149-Q1和LM25149降壓控制器支持工程師滿足具有挑戰性的EMI標準,并通過減小無源EMI濾波器的面積和體積來縮減解決方案尺寸。

與同類解決方案相比,在440 kHz頻率下,工程師最多可以將前端EMI濾波器的面積和體積分別縮減近50%和75%以上。

工程師還可以利用外部反饋和環路補償進一步優化其設計。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

新型Vishay Siliconix SQJA81EP導通電阻達到80 V p溝道器件優異水平,可提高汽車應用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結構5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK® SO-8L小型單體封裝,10 V條件下最大導通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。

日前發布的汽車級MOSFET導通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %,比前代解決方案低31 %,占位面積減小50 %,有助于降低導通功耗,節省能源,同時增加功率密度提高輸出。

SQJA81EP鷗翼引線結構還有助于提高自動光學檢測(AOI)功能,消除機械應力,提高板級可靠性。

制造商 Infineon Technologies  

系列 OptiMOS™  

包裝 卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel®  

零件狀態 有源  

FET 類型 N 通道  

技術 MOSFET(金屬氧化物)  

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 11A(Ta),40A(Tc)  

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 8 毫歐 @ 20A,10V  

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA  

Vgs(最大值) ±20V  

FET 功能 

功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),35W(Tc)  

工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)  

安裝類型 表面貼裝型  

供應商器件封裝 PG-TSDSON-8  

封裝/外殼 8-PowerTDFN  

漏源電壓(Vdss) 30V  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 2100pF @ 15V  

基本產品編號 BSZ088  

在開關電源設計中,實現低EMI電源和小解決方案尺寸通常是相互矛盾的。

而LM25149-Q1和LM25149降壓控制器支持工程師滿足具有挑戰性的EMI標準,并通過減小無源EMI濾波器的面積和體積來縮減解決方案尺寸。

與同類解決方案相比,在440 kHz頻率下,工程師最多可以將前端EMI濾波器的面積和體積分別縮減近50%和75%以上。

工程師還可以利用外部反饋和環路補償進一步優化其設計。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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