典型的組合線性控制斜率為16dB/V 44.7dB的總衰減
發布時間:2021/5/4 23:29:00 訪問次數:877
10MHz-500MHz頻率的雙路通用模擬可變電壓衰減器(VVA),設計用于50歐姆系統,包括專用控制電路,提供22.4dB衰減,典型線性控制斜率為8dB/V.
兩個衰減器采用共同的確模擬控制,可以級聯起來以得到44.7dB的總衰減,典型的組合線性控制斜率為16dB/V(5V工作).
數字X射線平板式探測儀（FPD）的一流讀取IC家族推出了新產品--- AS585xB系列，該系列器件為客戶提供了全新的靈活連接器選項，更降低了其整合到系統中的成本。
制造商:Micron Technology 產品種類:NOR閃存 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOP2-16 系列: 存儲容量:64 Mbit 電源電壓-最小:2.7 V 電源電壓-最大:3.6 V 有源讀取電流（最大值）:15 mA 接口類型:SPI 最大時鐘頻率:108 MHz 組織:8 M x 8 數據總線寬度:8 bit 定時類型:Synchronous 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 存儲類型:NOR 速度:108 MHz 商標:Micron 電源電流—最大值:15 mA 產品類型:NOR Flash 標準:Not Supported 1000 子類別:Memory & Data Storage
33V高工作電壓允許采用雙極電源來有效地驅動IGBT和SiC功率FET.UCC23511-Q1能驅動高邊和低邊功率FET.
引腳對引腳替代光隔離柵極驅動器,12V VCC UVLO, 軌到軌輸出,最大傳輸時延為105ns,部件間延時失配最大為25ns,脈寬失真最大為35ns,共模瞬態免疫度(CMTI)大于150-kV/μs,隔離阻擋層壽命大于50年.工作結溫為–40C 到+150C.5.7-kVRMS隔離1分鐘per UL 1577.
主要用在EV的牽引逆變器,車載充電器和DC充電站,HVAC,加熱器和工業馬達控制驅動.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
10MHz-500MHz頻率的雙路通用模擬可變電壓衰減器(VVA),設計用于50歐姆系統,包括專用控制電路,提供22.4dB衰減,典型線性控制斜率為8dB/V.
兩個衰減器采用共同的確模擬控制,可以級聯起來以得到44.7dB的總衰減,典型的組合線性控制斜率為16dB/V(5V工作).
數字X射線平板式探測儀（FPD）的一流讀取IC家族推出了新產品--- AS585xB系列，該系列器件為客戶提供了全新的靈活連接器選項，更降低了其整合到系統中的成本。
制造商:Micron Technology 產品種類:NOR閃存 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOP2-16 系列: 存儲容量:64 Mbit 電源電壓-最小:2.7 V 電源電壓-最大:3.6 V 有源讀取電流（最大值）:15 mA 接口類型:SPI 最大時鐘頻率:108 MHz 組織:8 M x 8 數據總線寬度:8 bit 定時類型:Synchronous 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 存儲類型:NOR 速度:108 MHz 商標:Micron 電源電流—最大值:15 mA 產品類型:NOR Flash 標準:Not Supported 1000 子類別:Memory & Data Storage
33V高工作電壓允許采用雙極電源來有效地驅動IGBT和SiC功率FET.UCC23511-Q1能驅動高邊和低邊功率FET.
引腳對引腳替代光隔離柵極驅動器,12V VCC UVLO, 軌到軌輸出,最大傳輸時延為105ns,部件間延時失配最大為25ns,脈寬失真最大為35ns,共模瞬態免疫度(CMTI)大于150-kV/μs,隔離阻擋層壽命大于50年.工作結溫為–40C 到+150C.5.7-kVRMS隔離1分鐘per UL 1577.
主要用在EV的牽引逆變器,車載充電器和DC充電站,HVAC,加熱器和工業馬達控制驅動.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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