sata接口實現離線存儲能力硅基IGBT和SiC的存儲要求
發布時間:2021/6/13 18:22:26 訪問次數:616
功率氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）。該創新系列GaN FET外形尺寸小，可實現高功率密度及高效率功率轉換，能夠以較低的成本開發出更高效系統，同時還可助力電動車、5G通信、物聯網等應用改進電源性能。
隨著越來越多的立法提高碳排放減排要求，實現更高效的功率轉換和更高的電氣化水平勢在必行。
GaN技術突破了硅基IGBT和SiC等現有技術的諸多局限，可為各種功率轉換應用帶來直接和間接的性能效益。
制造商:Microchip產品種類:以太網 ICRoHS: 詳細信息安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:QFN-24產品:Ethernet Transceivers標準:10/100BASE-T收發器數量:1 Transceiver數據速率:10 Mb/s, 100 Mb/s接口類型:RMII工作電源電壓:1.2 V最小工作溫度:0 C最大工作溫度:+ 85 C系列:LAN8720封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel商標:Microchip Technology電源電流—最大值:21 mA雙工:Full Duplex, Half Duplex濕度敏感性:Yes產品類型:Ethernet ICs工廠包裝數量:5000子類別:Communication & Networking ICs電源電壓-最大:1.26 V電源電壓-最小:1.14 V單位重量:170 mg
作為一款完整的邊緣計算設備，ALXE10B的上行鏈路支持4G/5G、Wi-Fi、Ethernet等方式，并支持LwM2M、MQTT、HTTP等協議與大數據平臺對接，實現實時數據、分析結果的上傳。
在電動車領域，GaN技術可直接降低功率損耗，從而為汽車實現更長的行駛里程。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
功率氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）。該創新系列GaN FET外形尺寸小，可實現高功率密度及高效率功率轉換，能夠以較低的成本開發出更高效系統，同時還可助力電動車、5G通信、物聯網等應用改進電源性能。
隨著越來越多的立法提高碳排放減排要求，實現更高效的功率轉換和更高的電氣化水平勢在必行。
GaN技術突破了硅基IGBT和SiC等現有技術的諸多局限，可為各種功率轉換應用帶來直接和間接的性能效益。
制造商:Microchip產品種類:以太網 ICRoHS: 詳細信息安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:QFN-24產品:Ethernet Transceivers標準:10/100BASE-T收發器數量:1 Transceiver數據速率:10 Mb/s, 100 Mb/s接口類型:RMII工作電源電壓:1.2 V最小工作溫度:0 C最大工作溫度:+ 85 C系列:LAN8720封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel商標:Microchip Technology電源電流—最大值:21 mA雙工:Full Duplex, Half Duplex濕度敏感性:Yes產品類型:Ethernet ICs工廠包裝數量:5000子類別:Communication & Networking ICs電源電壓-最大:1.26 V電源電壓-最小:1.14 V單位重量:170 mg
作為一款完整的邊緣計算設備，ALXE10B的上行鏈路支持4G/5G、Wi-Fi、Ethernet等方式，并支持LwM2M、MQTT、HTTP等協議與大數據平臺對接，實現實時數據、分析結果的上傳。
在電動車領域，GaN技術可直接降低功率損耗，從而為汽車實現更長的行駛里程。
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公網安備44030402000607
