ESDCAN03-2BM3Y泄漏電流極低在24V時僅50nA
發布時間:2021/6/23 20:02:17 訪問次數:591
eGaN FET和集成電路提高了48V/12V轉換器的功率密度,并滿足了數據中心對于小尺寸、更高功率的應用需求。Microchip數字控制器使得EPC9149演示板可靈活地進行編程和配置。
EPC9149發貨時隨附主板以簡化測試。
氮化鎵(eGaN)場效應晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍,其目標應用包括直流- 直流轉換器、激光雷達(LiDAR)、用于電動運輸、機器人和無人機的電機驅動器,以及低成本衛星等應用。
制造商:ON Semiconductor 產品種類:開關穩壓器 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 拓撲結構:Boost 輸出電壓:Adjustable 輸出電流:1.5 A 輸出端數量:1 Output 最大輸入電壓:30 V 最小輸入電壓:2.7 V 開關頻率:280 kHz 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 資格:AEC-Q100 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:1.75 mm 輸入電壓:2.7 V to 30 V 長度:5 mm 產品:Switching Regulators 類型:Charge Pump 寬度:4 mm 商標:ON Semiconductor 關閉:Shutdown 工作電源電流:5.5 mA 產品類型:Switching Voltage Regulators 工廠包裝數量2500 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:540 mg
如此小的電容還可簡化PCB設計,在設計信號線布局時可提供額外裕量。
175°C額定最高結溫準許將新產品部署在從車廂到工作環境惡劣的發動機艙全車所有位置。ESDCAN03-2BM3Y的泄漏電流極低,在24V時僅50nA,在車輛熄火時,可最大程度地降低耗電量,有助于保護電池電量,最大程度地延長電動汽車的續航里程。
ESDCAN03-2BM3Y TVS現已投產,采用無引腳DFN1110封裝,其Wettable Flanks封裝結構方便焊后高速自動光學檢查,實現高質量保證目標。
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氮化鎵(eGaN)場效應晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍,其目標應用包括直流- 直流轉換器、激光雷達(LiDAR)、用于電動運輸、機器人和無人機的電機驅動器,以及低成本衛星等應用。
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175°C額定最高結溫準許將新產品部署在從車廂到工作環境惡劣的發動機艙全車所有位置。ESDCAN03-2BM3Y的泄漏電流極低,在24V時僅50nA,在車輛熄火時,可最大程度地降低耗電量,有助于保護電池電量,最大程度地延長電動汽車的續航里程。
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