PCIe 3.0時鐘緩沖器可以減少零組件的整體使用數量
發布時間:2021/6/26 16:44:21 訪問次數:411
第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優勢。
全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業開關模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS®鈦金級效率認證的服務器電源和高效率要求的電信電源。
該器件也非常適合相同功率范圍內的太陽能逆變器和伺服驅動器。
制造商:Intel產品種類:CPLD - 復雜可編程邏輯器件RoHS: 產品:MAX V大電池數量:440邏輯數組塊數量——LAB:57最大工作頻率:152 MHz傳播延遲—最大值:9 ns輸入/輸出端數量:114 I/O工作電源電壓:1.8 V最小工作溫度:0 C最大工作溫度:+ 70 C安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TQFP-144封裝:Tray存儲類型:Flash系列:商標:Intel / Altera濕度敏感性:Yes邏輯元件數量:570工作電源電流:27 uA產品類型:CPLD - Complex Programmable Logic Devices60子類別:Programmable Logic ICs電源電壓-最大:1.89 V電源電壓-最小:1.71 V總內存:8192 bit商標名:零件號別名:965745單位重量:14.041 g
PI7C9X3G808GP 藉由這項 CDEP 功能支持扇出與雙主機連接。
內建的 PCIe 3.0 時鐘緩沖器可以減少零組件的整體使用數量，有助于降低 BOM 成本。此整合式緩沖器具低功耗操作特色，成為業界獨一無二的產品。
可以使用三種參考頻率選項：通用、獨立參考無擴頻 (SRNS) 及獨立參考擴頻 (SRIS)。
Diodes Incorporated 的PI7C9X3G808GP采用 196 球 BGA 格式高效能覆晶封裝方式，尺寸為 15mm x 15mm。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優勢。
全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業開關模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS®鈦金級效率認證的服務器電源和高效率要求的電信電源。
該器件也非常適合相同功率范圍內的太陽能逆變器和伺服驅動器。
制造商:Intel產品種類:CPLD - 復雜可編程邏輯器件RoHS: 產品:MAX V大電池數量:440邏輯數組塊數量——LAB:57最大工作頻率:152 MHz傳播延遲—最大值:9 ns輸入/輸出端數量:114 I/O工作電源電壓:1.8 V最小工作溫度:0 C最大工作溫度:+ 70 C安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TQFP-144封裝:Tray存儲類型:Flash系列:商標:Intel / Altera濕度敏感性:Yes邏輯元件數量:570工作電源電流:27 uA產品類型:CPLD - Complex Programmable Logic Devices60子類別:Programmable Logic ICs電源電壓-最大:1.89 V電源電壓-最小:1.71 V總內存:8192 bit商標名:零件號別名:965745單位重量:14.041 g
PI7C9X3G808GP 藉由這項 CDEP 功能支持扇出與雙主機連接。
內建的 PCIe 3.0 時鐘緩沖器可以減少零組件的整體使用數量，有助于降低 BOM 成本。此整合式緩沖器具低功耗操作特色，成為業界獨一無二的產品。
可以使用三種參考頻率選項：通用、獨立參考無擴頻 (SRNS) 及獨立參考擴頻 (SRIS)。
Diodes Incorporated 的PI7C9X3G808GP采用 196 球 BGA 格式高效能覆晶封裝方式，尺寸為 15mm x 15mm。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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