高速半橋和低速半橋兩路電流或電壓速率優化
發布時間:2021/7/12 21:01:58 訪問次數:243
根據圖騰柱開關技術中，當中包括了高速半橋和低速半橋兩路，其中在高速半橋上，NCP1680 可與 NCP51820 半橋GaN高電子遷移率晶體管 (HEMT) 門極驅動器或 NCP51561 隔離型SiC MOSFET門極驅動器一起使用。
新器件適用于硅功率 MOSFET 和基于 SiC 的 MOSFET 器件的快速開關，提供短且匹配的傳播延遲。
兩個獨立的 5 kVRMS (UL1577 級) 電隔離門極驅動器通道可用作兩個下橋、兩個上橋開關或一個半橋驅動器，具有可編程的死區時間。
制造商:AirBorn產品種類:矩形軍用規格連接器RoHS:N產品:Connectors位置數量:300 Position排數:6 Row端接類型:Solder安裝風格:PCB Mount觸點類型:Socket (Female)觸點電鍍:TinMIL 類型:MIL-DTL-55302系列:RM安裝角:Straight電流額定值:3 A外殼材料:Polyphenylene Sulfide (PPS)商標:AirBorn觸點材料:Beryllium Copper節距:1.905 mm絕緣電阻:5000 MOhms最大工作溫度:+ 125 C最小工作溫度:- 65 C產品類型:Rectangular MIL Spec Connectors工廠包裝數量:1子類別:MIL-Spec / MIL-Type商標名:R Series
系統級封裝集成和柵極驅動器具備的高精度和穩定的傳輸延遲，可讓IGI60F1414A1L提供最低的系統死區時間。
這將有助于系統效率極大化，使充電器和適配器解決方案的功率密度提升至更高水平，達到35 W/in3。靈活、簡單及快速的設計特色，也適用于如 LLC 諧振拓撲結構、馬達驅動器等其他應用。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
根據圖騰柱開關技術中，當中包括了高速半橋和低速半橋兩路，其中在高速半橋上，NCP1680 可與 NCP51820 半橋GaN高電子遷移率晶體管 (HEMT) 門極驅動器或 NCP51561 隔離型SiC MOSFET門極驅動器一起使用。
新器件適用于硅功率 MOSFET 和基于 SiC 的 MOSFET 器件的快速開關，提供短且匹配的傳播延遲。
兩個獨立的 5 kVRMS (UL1577 級) 電隔離門極驅動器通道可用作兩個下橋、兩個上橋開關或一個半橋驅動器，具有可編程的死區時間。
制造商:AirBorn產品種類:矩形軍用規格連接器RoHS:N產品:Connectors位置數量:300 Position排數:6 Row端接類型:Solder安裝風格:PCB Mount觸點類型:Socket (Female)觸點電鍍:TinMIL 類型:MIL-DTL-55302系列:RM安裝角:Straight電流額定值:3 A外殼材料:Polyphenylene Sulfide (PPS)商標:AirBorn觸點材料:Beryllium Copper節距:1.905 mm絕緣電阻:5000 MOhms最大工作溫度:+ 125 C最小工作溫度:- 65 C產品類型:Rectangular MIL Spec Connectors工廠包裝數量:1子類別:MIL-Spec / MIL-Type商標名:R Series
系統級封裝集成和柵極驅動器具備的高精度和穩定的傳輸延遲，可讓IGI60F1414A1L提供最低的系統死區時間。
這將有助于系統效率極大化，使充電器和適配器解決方案的功率密度提升至更高水平，達到35 W/in3。靈活、簡單及快速的設計特色，也適用于如 LLC 諧振拓撲結構、馬達驅動器等其他應用。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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