5W和20W的開關電源控制IC后，為滿足客戶對更多功率段的需求，金升陽推出內置高壓MOS管和高壓啟動的AC／DC電源控制芯片——SCM1738ASA。

SCM1738ASA是一款內置高壓MOS 管功率開關的原邊控制開關電源（PSR），采用PFM 調頻技術，提供精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制環路，穩定性和平均效率非常高。

由于集成高壓啟動，可以省去外圍的啟動電阻，實現低損耗可靠啟動。同時，該芯片具有可調節線性補償功能和內置峰值電流補償功能，輸出功率最大可達8W。

制造商:    Texas Instruments    

產品種類:    RS-232接口集成電路    

RoHS:    詳細信息    

安裝風格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    SSOP-20    

系列:    MAX3222E    

功能:    Transceiver    

數據速率:    500 kb/s    

激勵器數量:    2 Driver    

接收機數量:    2 Receiver    

雙工:    Full Duplex    

電源電壓-最大:    5.5 V    

電源電壓-最小:    3 V    

工作電源電流:    1 mA    

最小工作溫度:    - 40 C    

最大工作溫度:    + 85 C    

封裝:    Tube    

高度:   1.95 mm    

長度:   7.2 mm    

產品:   RS-232 Transceivers    

電源類型:   Single Supply    

寬度:   5.3 mm    

商標:   Texas Instruments    

關閉:   With Shutdown    

工作電源電壓:   3.3 V, 5 V    

產品類型:   RS-232 Interface IC    

傳播延遲時間:   0.3 us    

工廠包裝數量:   70    

子類別:   Interface ICs    

單位重量:  156.700 mg  

最新一代的eGaN FET在具備更高效散熱的更小型尺寸內，實現更高的性能，而且其成本與傳統MOSFET器件相若。

氮化鎵器件必然可替代逐漸老化的功率MOSFET器件的趨勢日益明顯。

400 V、2.5 kW、基于eGaN FET、四電平飛跨電容（FCML）圖騰柱無橋整流器，適用于數據中心，它使用了最新的200 V 氮化鎵場效應晶體管（EPC2215）。

氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)優越特性使得轉換器能夠實現高功率密度、超高效率和低諧波失真。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）