TO-247封裝向后兼容性來輕松提高效率幫助設備大幅節省電能
發布時間:2021/9/16 22:25:11 訪問次數:429
在自助支付終端等公共設備和消費電子產品以及家用電器內,通過支持手勢識別和人體存在自動檢測,VL53L5CX可實現免接觸安全喚醒系統,并幫助設備大幅節省電能。
在市面上有大量的支持VL53L5CX的開發工具鏈,開發者可通過好用的評估校準工具快速開發原型,還可以買到把VL53L5CX輕松集成到更大原型系統中的開發板。
此外,P-NUCLEO-53L5A1 評估套件和 X-CUBE-TOF1 軟件擴展包讓開發者能夠利用STM32生態系統開發飛行時間應用。
制造商:STMicroelectronics 產品種類:達林頓晶體管 配置:Single 晶體管極性:PNP 集電極—發射極最大電壓 VCEO:100 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 集電極—基極電壓 VCBO:100 V 最大直流電集電極電流:8 A 最大集電極截止電流:50 uA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Tube 商標:STMicroelectronics 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 高度:9.15 mm 長度:10.4 mm 產品類型:Darlington Transistors 工廠包裝數量1000 子類別:Transistors 寬度:4.6 mm 單位重量:6 g
UnitedSiC SiC FET憑借其在開關效率和導通電阻方面的最新改進,非常適合具有挑戰性的新興應用。
其中包括電動汽車中的牽引驅動器以及車載和非車載充電器,以及可再生能源逆變器、功率因數校正、電信轉換器以及所有AC/DC或DC/DC功率轉換中單向和雙向功率轉換的所有階段。
這些特性可在要求苛刻的應用中實現最大功率輸出,同時實現低芯片溫升。
成熟的應用也可以從使用這種器件中受益——可以憑借其與Si MOSFET和IGBT柵極驅動器以及成熟的TO-247封裝的向后兼容性來輕松提高效率。
(素材來源:eepw和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
在自助支付終端等公共設備和消費電子產品以及家用電器內,通過支持手勢識別和人體存在自動檢測,VL53L5CX可實現免接觸安全喚醒系統,并幫助設備大幅節省電能。
在市面上有大量的支持VL53L5CX的開發工具鏈,開發者可通過好用的評估校準工具快速開發原型,還可以買到把VL53L5CX輕松集成到更大原型系統中的開發板。
此外,P-NUCLEO-53L5A1 評估套件和 X-CUBE-TOF1 軟件擴展包讓開發者能夠利用STM32生態系統開發飛行時間應用。
制造商:STMicroelectronics 產品種類:達林頓晶體管 配置:Single 晶體管極性:PNP 集電極—發射極最大電壓 VCEO:100 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 集電極—基極電壓 VCBO:100 V 最大直流電集電極電流:8 A 最大集電極截止電流:50 uA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Tube 商標:STMicroelectronics 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 高度:9.15 mm 長度:10.4 mm 產品類型:Darlington Transistors 工廠包裝數量1000 子類別:Transistors 寬度:4.6 mm 單位重量:6 g
UnitedSiC SiC FET憑借其在開關效率和導通電阻方面的最新改進,非常適合具有挑戰性的新興應用。
其中包括電動汽車中的牽引驅動器以及車載和非車載充電器,以及可再生能源逆變器、功率因數校正、電信轉換器以及所有AC/DC或DC/DC功率轉換中單向和雙向功率轉換的所有階段。
這些特性可在要求苛刻的應用中實現最大功率輸出,同時實現低芯片溫升。
成熟的應用也可以從使用這種器件中受益——可以憑借其與Si MOSFET和IGBT柵極驅動器以及成熟的TO-247封裝的向后兼容性來輕松提高效率。
(素材來源:eepw和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)