SiC FET的集成體二極管在恢復速度和正向壓降方面優于競爭對手的Si MOSFET或SiC MOSFET技術。

第4代技術中所包含的其他優勢，則是通過先進的晶圓減薄技術和銀燒結貼片工藝降低了從裸片到外殼的熱阻。

UnitedSiC第4代SiC FET無疑是競爭技術中的性能領導者，并為寬禁帶開關技術樹立了新的標桿。新增的產品系列現在為所有的性能和預算規格以及更廣泛的應用提供了更多選擇。

制造商:STMicroelectronics 產品種類:交流/直流轉換器 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:DIP-7 輸出電壓:800 V 輸出功率:18 W 輸入/電源電壓—最小值:11.5 V 輸入/電源電壓—最大值:23.5 V 開關頻率:60 kHz 占空比 - 最大:80 % 工作電源電流:2.5 mA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Tube 商標:STMicroelectronics 輸出端數量:1 Output 產品類型:AC/DC Converters 工廠包裝數量2000 子類別:PMIC - Power Management ICs 類型:Fixed Frequency 單位重量:851 mg

傳感器陣列數量可以設置，在16區(4x4)模式下,傳感器測距速度高達每秒 60 幀，實現快速測距模式。

只需用軟件簡單配置一下即可達到 8x8 區高分辨率，VL53L5CX 還有助于校正視頻投影儀梯形畸變,并為增強現實和虛擬現實 (AR/VR) 應用提供精確的微型的深度圖解決方案。

VL53L5CX 集成低功耗微控制器，能夠智能測距，節省電能，在6.4mm x 3.0mm x 1.5mm 模塊內集成測距所需全部元件，包括VCSEL(垂直腔表面發射激光器)紅外發射器和接收器，其中接收器內置 SPAD(單光子雪崩二極管)和基于直方圖的ToF處理引擎。

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