臨界導通模式 (CrM) 圖騰柱PFC控制器，是該公司超高密度離線電源方案集的新成員。

在傳統的PFC電路中，整流橋二極管在240 W電源中的損耗約4 W，占總損耗的20%左右。相比之下，PFC級的能效通常為97%，LLC電路實現類似的性能。

然而，用 "圖騰柱 "配置的開關取代有損耗的二極管，并拉入升壓PFC功能，可減少電橋損耗，顯著提高整體能效。此外，NCP1680可適用于任何開關類型，無論是超級結硅MOSFET還是碳化硅 (SiC) 或氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶開關。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續漏極電流: 90 A

Rds On-漏源導通電阻: 2.1 mOhms

商標名: OptiMOS

封裝: Tube

商標: Infineon Technologies

配置: Single

高度: 15.65 mm

長度: 10 mm

產品類型: MOSFET

系列: OptiMOS-T2

工廠包裝數量: 500

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 4.4 mm

零件號別名: IPP90N04S402XK SP000646200 IPP90N04S402AKSA1

單位重量: 2 g

新的NCP1680 CrM圖騰柱PFC控制器采用新穎的電流限制架構和線路相位檢測，同時結合經驗證的控制算法，提供高性價比的圖騰柱 PFC方案，而不影響性能。

該 IC 的核心是內部補償數字環路控制。該創新器件采用含谷底開關的恒定導通時間 CrM 架構。

安森美半導體已發布采用TO-247-4L和D2PAK-7L封裝的650V SiC MOSFET，并將繼續猛增該產品系列。 此外，安森美半導體提供完整的硅基 650 V SUPERFET® III MOSFET 產品組合。

該高度集成的器件可使電源設計在通用電源 (90 至 265 Vac) 下以高達350 W的建議功率水平工作。

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