反向阻斷二極管和電源引腳齊納箝位單芯片解決方案
發布時間:2021/9/23 23:47:37 訪問次數:586
Diodes 采用先進的斬波器穩定設計，在 2.7V 至 27V 的操作電壓及 -40˚C 至 +150˚C 的溫度范圍內，磁性操作點與釋放點 (BOP/BRP) 具有絕佳的穩定性。
這種穩定性，加上 8kV 的高 ESD 額定值、內建反向阻斷二極管和電源引腳齊納箝位，使得 AH32xxQ 系列能夠滿足汽車近接/位置感測產品應用的嚴苛要求。
所有 AH32xxQ 裝置皆采用 SC59 封裝。符合 AEC-Q100 等級規范，由 IATF 16949 認證的設施制造，并支持 PPAP 文件。
制造商:Nichicon產品種類:鋁電解電容器 - 徑向引線型RoHS: 產品:Low Impedance Electrolytic Capacitors端接類型:Radial電容:100 uF電壓額定值 DC:16 VDC最大工作溫度:+ 105 C直徑:5 mm引線間隔:2 mm長度:11 mm壽命:5000 Hour容差:20 %紋波電流:360 mA最小工作溫度:- 40 C引線類型:Straight系列:封裝:Ammo Pack商標:Nichicon損耗因數 DF:0.15封裝 / 箱體:5 mm x 11 mm產品類型:Electrolytic Capacitors2000子類別:Capacitors類型:Aluminium Electrolytic Capacitors
氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET）和集成電路具備快速開關、小尺寸和低成本等優勢，以滿足前沿計算應用對功率密度的嚴格要求。
EPC9151是很好的范例，它展示如何利用集成功率級EPC2152，滿足計算應用中48 V轉換所要求的提高功率密度并降低系統成本。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
Diodes 采用先進的斬波器穩定設計，在 2.7V 至 27V 的操作電壓及 -40˚C 至 +150˚C 的溫度范圍內，磁性操作點與釋放點 (BOP/BRP) 具有絕佳的穩定性。
這種穩定性，加上 8kV 的高 ESD 額定值、內建反向阻斷二極管和電源引腳齊納箝位，使得 AH32xxQ 系列能夠滿足汽車近接/位置感測產品應用的嚴苛要求。
所有 AH32xxQ 裝置皆采用 SC59 封裝。符合 AEC-Q100 等級規范，由 IATF 16949 認證的設施制造，并支持 PPAP 文件。
制造商:Nichicon產品種類:鋁電解電容器 - 徑向引線型RoHS: 產品:Low Impedance Electrolytic Capacitors端接類型:Radial電容:100 uF電壓額定值 DC:16 VDC最大工作溫度:+ 105 C直徑:5 mm引線間隔:2 mm長度:11 mm壽命:5000 Hour容差:20 %紋波電流:360 mA最小工作溫度:- 40 C引線類型:Straight系列:封裝:Ammo Pack商標:Nichicon損耗因數 DF:0.15封裝 / 箱體:5 mm x 11 mm產品類型:Electrolytic Capacitors2000子類別:Capacitors類型:Aluminium Electrolytic Capacitors
氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET）和集成電路具備快速開關、小尺寸和低成本等優勢，以滿足前沿計算應用對功率密度的嚴格要求。
EPC9151是很好的范例，它展示如何利用集成功率級EPC2152，滿足計算應用中48 V轉換所要求的提高功率密度并降低系統成本。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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公網安備44030402000607
