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驅動器的輸出灌電流/拉電流為5.5A/6A采用16引腳SO16封裝

發布時間:2021/9/29 18:36:25 訪問次數:259

STDRIVEG600的dV/dt為±200V/ns,確保柵極控制在惡劣電氣環境中具有較高的可靠性。

邏輯輸入兼容低至 3.3V 的 CMOS/TTL信號,方便連接主微控制器或 DSP處理器。高邊電路耐受電壓高達 600V,可用于高壓總線高達 500V 的應用領域。

驅動器的輸出灌電流/拉電流為5.5A/6A,并提供獨立的導通和關斷引腳,讓設計人員可以選擇適合的柵極控制方式。

此外,高低邊電路都支持與功率開關源極相連的開爾文連接方法,以增強控制性能。

制造商: Texas Instruments

產品種類: 16位微控制器 - MCU

RoHS:  詳細信息

系列: MSP430F1111A

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-20

核心: MSP430

程序存儲器大小: 2 kB

數據總線寬度: 16 bit

最大時鐘頻率: 8 MHz

輸入/輸出端數量: 14 I/O

數據 RAM 大小: 128 B

工作電源電壓: 1.8 V to 3.6 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝: Reel

商標: Texas Instruments

數據 ROM 大小: 256 B

數據 Rom 類型: Flash

高度: 2.35 mm

接口類型: UART

長度: 12.8 mm

計時器/計數器數量: 1 Timer

處理器系列: 1 Series

產品類型: 16-bit Microcontrollers - MCU

程序存儲器類型: Flash

工廠包裝數量: 2000

子類別: Microcontrollers - MCU

商標名: MSP430

看門狗計時器: No Watchdog Timer

寬度: 7.52 mm

單位重量: 500.700 mg

驅動器有兩款配套開發板,幫助設計人員快速啟動新項目.

其中,EVSTDRIVEG600DG 板載一個 150mΩ 650V GaN HEMT晶體管,該晶體管采用 5mm x 6mm PowerFLAT 封裝,帶有Kelvin驅動源引腳.

EVSTDRIVEG600DM開發板配備一個STL33N60DM2 內置快速恢復二極管的MDmesh 115mΩ 600V硅基MOSFET功率開關,該晶體管采用帶有Kelvin驅動源引腳的8mmx8mm PowerFLAT封裝或者 DPAK 封裝。

STDRIVEG600 驅動芯片已量產,采用 16 引腳 SO16 封裝。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

STDRIVEG600的dV/dt為±200V/ns,確保柵極控制在惡劣電氣環境中具有較高的可靠性。

邏輯輸入兼容低至 3.3V 的 CMOS/TTL信號,方便連接主微控制器或 DSP處理器。高邊電路耐受電壓高達 600V,可用于高壓總線高達 500V 的應用領域。

驅動器的輸出灌電流/拉電流為5.5A/6A,并提供獨立的導通和關斷引腳,讓設計人員可以選擇適合的柵極控制方式。

此外,高低邊電路都支持與功率開關源極相連的開爾文連接方法,以增強控制性能。

制造商: Texas Instruments

產品種類: 16位微控制器 - MCU

RoHS:  詳細信息

系列: MSP430F1111A

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-20

核心: MSP430

程序存儲器大小: 2 kB

數據總線寬度: 16 bit

最大時鐘頻率: 8 MHz

輸入/輸出端數量: 14 I/O

數據 RAM 大小: 128 B

工作電源電壓: 1.8 V to 3.6 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝: Reel

商標: Texas Instruments

數據 ROM 大小: 256 B

數據 Rom 類型: Flash

高度: 2.35 mm

接口類型: UART

長度: 12.8 mm

計時器/計數器數量: 1 Timer

處理器系列: 1 Series

產品類型: 16-bit Microcontrollers - MCU

程序存儲器類型: Flash

工廠包裝數量: 2000

子類別: Microcontrollers - MCU

商標名: MSP430

看門狗計時器: No Watchdog Timer

寬度: 7.52 mm

單位重量: 500.700 mg

驅動器有兩款配套開發板,幫助設計人員快速啟動新項目.

其中,EVSTDRIVEG600DG 板載一個 150mΩ 650V GaN HEMT晶體管,該晶體管采用 5mm x 6mm PowerFLAT 封裝,帶有Kelvin驅動源引腳.

EVSTDRIVEG600DM開發板配備一個STL33N60DM2 內置快速恢復二極管的MDmesh 115mΩ 600V硅基MOSFET功率開關,該晶體管采用帶有Kelvin驅動源引腳的8mmx8mm PowerFLAT封裝或者 DPAK 封裝。

STDRIVEG600 驅動芯片已量產,采用 16 引腳 SO16 封裝。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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