初級側和次級側使用氮化鎵實現超過4000W/in3的最大功率密度
發布時間:2021/9/29 20:51:11 訪問次數:335
EPC2069 非常適合需要高功率密度的應用，包括48 V-54 V輸入服務器。
較低的柵極電荷和零反向恢復損耗可實現1 MHz及更高頻率的高頻操作、高效并在10.6 mm2 的微小占位面積內，實現高功率密度。
EPC2069器件可支持48V/12V DC/DC解決方案，范圍從 500 W 到 2 kW，效率超過98%。在初級側和次級側使用氮化鎵（eGaN）器件可實現超過4000 W/in3 的最大功率密度。
這使得RX140 MCU能夠在家電、工業和樓宇自動化（BA）等廣泛應用中實現高性能和低功耗。
制造商:NXP 產品種類:ARM微控制器 - MCU RoHS: 詳細信息 系列:K10_72 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:LQFP-144 核心:ARM Cortex M4 程序存儲器大小:256 kB 數據總線寬度:32 bit 最大時鐘頻率:100 MHz 數據 RAM 大小:128 kB 工作電源電壓:3.3 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 105 C 封裝:Tray 模擬電源電壓:3.3 V 商標:NXP Semiconductors I/O 電壓:3.3 V 濕度敏感性:Yes 處理器系列:Kinetis K 產品類型:ARM Microcontrollers - MCU 工廠包裝數量:300 子類別:Microcontrollers - MCU 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:1.71 V 商標名:Kinetis 零件號別名:935319788557 單位重量:1.319 g
EPC2069器件專為從40 V–60 V轉至12 V的LLC DC/DC轉換器的次級側而設計，目前非常普遍用于48 V–54 V輸入的服務器，以應對人工智能和游戲等高密度計算應用所需。
具有可程序編輯均衡器、線性擺幅和平坦增益功能，可補償 PCB 較長布線造成的訊號損失。
EPC推出了40 V、1.6 mΩ的氮化鎵場效應晶體管 （eGaN® FET），器件型號為EPC2069.
專為設計人員而設，EPC2069比目前市場上可選的器件更小、更高效、更可靠，適用于高性能且空間受限的應用。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
EPC2069 非常適合需要高功率密度的應用，包括48 V-54 V輸入服務器。
較低的柵極電荷和零反向恢復損耗可實現1 MHz及更高頻率的高頻操作、高效并在10.6 mm2 的微小占位面積內，實現高功率密度。
EPC2069器件可支持48V/12V DC/DC解決方案，范圍從 500 W 到 2 kW，效率超過98%。在初級側和次級側使用氮化鎵（eGaN）器件可實現超過4000 W/in3 的最大功率密度。
這使得RX140 MCU能夠在家電、工業和樓宇自動化（BA）等廣泛應用中實現高性能和低功耗。
制造商:NXP 產品種類:ARM微控制器 - MCU RoHS: 詳細信息 系列:K10_72 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:LQFP-144 核心:ARM Cortex M4 程序存儲器大小:256 kB 數據總線寬度:32 bit 最大時鐘頻率:100 MHz 數據 RAM 大小:128 kB 工作電源電壓:3.3 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 105 C 封裝:Tray 模擬電源電壓:3.3 V 商標:NXP Semiconductors I/O 電壓:3.3 V 濕度敏感性:Yes 處理器系列:Kinetis K 產品類型:ARM Microcontrollers - MCU 工廠包裝數量:300 子類別:Microcontrollers - MCU 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:1.71 V 商標名:Kinetis 零件號別名:935319788557 單位重量:1.319 g
EPC2069器件專為從40 V–60 V轉至12 V的LLC DC/DC轉換器的次級側而設計，目前非常普遍用于48 V–54 V輸入的服務器，以應對人工智能和游戲等高密度計算應用所需。
具有可程序編輯均衡器、線性擺幅和平坦增益功能，可補償 PCB 較長布線造成的訊號損失。
EPC推出了40 V、1.6 mΩ的氮化鎵場效應晶體管 （eGaN® FET），器件型號為EPC2069.
專為設計人員而設，EPC2069比目前市場上可選的器件更小、更高效、更可靠，適用于高性能且空間受限的應用。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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