750V、6mΩ器件，從而響應了電源設計人員對更高性能、更高效率的SiC FET的需求。

所有器件均有采用TO-247-4L封裝的方案，同時18、23、33、44和60mΩ器件還提供了采用TO-247-3L封裝的方案。

這款6mΩ新器件的RDS(on)值不到最接近的SiC MOSFET競爭產品的一半，并且還提供了魯棒的5μs額定短路耐受時間。今天所發布的產品包括750V SiC FET系列中的9種新器件/封裝選項，額定值為6、9、11、23、33和44mΩ。

制造商: Texas Instruments

產品種類: 隔離放大器

RoHS:  詳細信息

系列: ISO124

通道數量: 1 Channel

絕緣電壓: 1500 Vrms

隔離類型: Capacitive, Galvanic

GBP-增益帶寬產品: -

3dB帶寬: 50 kHz

CMRR - 共模抑制比: 140 dB

Vos - 輸入偏置電壓 : 50 mV

電源電壓-最大: 18 V

電源電壓-最小: 4.5 V

工作電源電流: 5.5 mA

最小工作溫度: - 25 C

最大工作溫度: + 85 C

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-8

封裝: Tube

放大器類型: Isolation

輸出電壓: 12.5 V

產品: Isolation Amplifiers

商標: Texas Instruments

輸入電壓范圍—最大: 12.5 V

增益誤差: 0.01 %

濕度敏感性: Yes

工作電源電壓: 4.5 V to 18 V

產品類型: Isolation Amplifiers

工廠包裝數量: 20

子類別: Amplifier ICs

單位重量: 540 mg

NCP1203和NCP1200A目標應用在消費類電子和計算機外設。這些應用包括DVD播放機，DVR錄像機，機頂盒，游戲控制臺，PDA適配器，數字和視頻照相機適配器和有數字顯示的設備。計算機應用包括打印機，掃描儀，LCD監視器和便攜式電腦適配器。

NCP1203和NCP1200A是SO-8表面安裝封裝，也有PDIP-8封裝的。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）