高頻工作性能GaN器件開發用于32位服務器和工作站
發布時間:2021/10/26 8:59:06 訪問次數:199
ROHM一直在大力推動業內先進的SiC元器件和各種具有優勢的硅元器件的開發與量產，以及在中等耐壓范圍具有出色的高頻工作性能的GaN器件的開發。
此次，ROHM就現有GaN器件長期存在的課題開發出可以提高柵極-源極間額定電壓的技術，能夠為各種應用提供更廣泛的電源解決方案。
然而，GaN器件的柵極-源極間額定電壓較低，在開關工作期間可能會發生超過額定值的過沖電壓，所以在產品可靠性方面一直存在很大的問題。
這款堅固的封閉型產品具有內置過熱、過流、過壓和輸出短路保護，從而保護設備及其供電的任何負載。ASB75產品的基板工作溫度范圍為-40°C至+85°C，適用于各種應用環境，而全封裝提高了惡劣環境和需要堅固設備的應用中的可靠性。
與硅器件相比，GaN器件具有更低的導通電阻值和更優異的高速開關性能，因而在基站和數據中心等領域作為有助于降低各種開關電源的功耗并實現小型化的器件被寄予厚望。
Athlon MP處理器2800+，它是Athlon 2600的升級版本，用于32位服務器和工作站。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
ROHM一直在大力推動業內先進的SiC元器件和各種具有優勢的硅元器件的開發與量產，以及在中等耐壓范圍具有出色的高頻工作性能的GaN器件的開發。
此次，ROHM就現有GaN器件長期存在的課題開發出可以提高柵極-源極間額定電壓的技術，能夠為各種應用提供更廣泛的電源解決方案。
然而，GaN器件的柵極-源極間額定電壓較低，在開關工作期間可能會發生超過額定值的過沖電壓，所以在產品可靠性方面一直存在很大的問題。
這款堅固的封閉型產品具有內置過熱、過流、過壓和輸出短路保護，從而保護設備及其供電的任何負載。ASB75產品的基板工作溫度范圍為-40°C至+85°C，適用于各種應用環境，而全封裝提高了惡劣環境和需要堅固設備的應用中的可靠性。
與硅器件相比，GaN器件具有更低的導通電阻值和更優異的高速開關性能，因而在基站和數據中心等領域作為有助于降低各種開關電源的功耗并實現小型化的器件被寄予厚望。
Athlon MP處理器2800+，它是Athlon 2600的升級版本，用于32位服務器和工作站。
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