高速端口應用的ESD保護器件陣列CM1213,它的電容只有1pF,是業界第一個有超低電容的器件，能處理USB 2.0，防火墻，DVI，HDMI和SATA信號。和有額定指標3pF到5pF的器件不同,CM1213不會衰減USB 2.0，防火墻，DVI，HDMI和SATA中的高速數據信號。

指標包括8KV的ESD接觸保護指標，15KV的空氣保護指標，通道到地的差分電容為0.02pF，通道到通道的電容為0.003pF，鉗位電壓為Vbus+9V(最大為14V)。

有1通道到8通道的型號，封裝有SOT-23，SOT-14，SOIC和MSOP幾種類型。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V

Id-連續漏極電流: 21 A

Rds On-漏源導通電阻: 100 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.1 V

Qg-柵極電荷: -

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 125 W

通道模式: Enhancement

商標名: SIPMOS

封裝: Tube

商標: Infineon Technologies

配置: Single

下降時間: 90 ns

正向跨導 - 最小值: 6 S

高度: 15.65 mm

長度: 10 mm

產品類型: MOSFET

上升時間: 70 ns

500

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關閉延遲時間: 250 ns

典型接通延遲時間: 30 ns

寬度: 4.4 mm

零件號別名: BUZ30A H SP000682990 BUZ3AHXK

單位重量: 2 g

工業級PCIe Gen 4x4固態硬盤，以雙倍容量、雙倍帶寬及雙倍傳輸速率，將積極導入5G基礎設施、mmWave毫米波設備、智能路燈及AIoT人工智能物聯網等高階市場應用。

國際市調機構Fortune Business Insights預測，全球5G基礎建設市場規模將在2027年底達到800.6億美元，于2020至2027年間達到71.0%的年復合成長率，為各式5G及AIoT創新應用奠定堅實基礎。

然而除了5G網絡帶來的高速、低延遲與廣鏈接特性，在存儲裝置的效能上，也必須突破過往Gen 3.0存儲設備所面臨的帶寬與傳輸速率瓶頸，才能充分發揮海量數據在實時存取、演算的優勢。

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