16.1Gb雙數據速率執行器之間的車載網絡和通信串行總線
發布時間:2021/11/3 22:11:25 訪問次數:182
1Gb DDR SDRAM HYB25D1G800AE-7,該器件采用先進的110nm CMOS工藝制造,芯片面積僅為160mm2,是業界最小的1Gb DDR SDRAM芯片.
新的1Gb DRAM的封裝是400密爾的66引腳TSOP或在空間受到嚴格限制應用的68針FBGA封裝.所支持的結構有x4,x8和x16.1Gb 雙數據速率(DDR)覆蓋了從DDR266到DDR400整個受歡迎的DDR速率,其工作時鐘分別是133MHz到200MHz.
為了在每個模塊得到最高的存儲器密度,Infineon公司采用FBGA封裝的堆棧型來生產4GB注冊模塊.
制造商:Nexperia產品種類:轉換 - 電壓電平RoHS: 類型:Bidirectional Dual Voltage Level Translator電源電壓-最大:3.6 V電源電壓-最小:2.8 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:WLCSP-25封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:Nexperia數據速率:12.5 MB/s邏輯類型:Translator通道數量:1 Channel工作電源電流:100 uAPd-功率耗散:1000 mW產品類型:Translation - Voltage Levels4500子類別:Logic ICs零件號別名:934068531014單位重量:4.530 mg
對于需要更強 ESD 事件保護的應用，通常可以采用齊納二極管、金屬氧化物壓敏電阻（MOV）、瞬態電壓抑制器（TVS）和二 極管等分立器件。
不過，這些器件會在信號線路上造成電容和漏電流增加，因此可能導致信號完整性問題；這意味著設計人員需要仔細考量，并在性能和可靠性之間進行權衡。
LIN用作“智能”傳感器和以12V工作的執行器之間的車載網絡和通信串行總線。LIN利用一種具有一個主控制單元和一個或多個從單元的主從配置。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
1Gb DDR SDRAM HYB25D1G800AE-7,該器件采用先進的110nm CMOS工藝制造,芯片面積僅為160mm2,是業界最小的1Gb DDR SDRAM芯片.
新的1Gb DRAM的封裝是400密爾的66引腳TSOP或在空間受到嚴格限制應用的68針FBGA封裝.所支持的結構有x4,x8和x16.1Gb 雙數據速率(DDR)覆蓋了從DDR266到DDR400整個受歡迎的DDR速率,其工作時鐘分別是133MHz到200MHz.
為了在每個模塊得到最高的存儲器密度,Infineon公司采用FBGA封裝的堆棧型來生產4GB注冊模塊.
制造商:Nexperia產品種類:轉換 - 電壓電平RoHS: 類型:Bidirectional Dual Voltage Level Translator電源電壓-最大:3.6 V電源電壓-最小:2.8 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:WLCSP-25封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:Nexperia數據速率:12.5 MB/s邏輯類型:Translator通道數量:1 Channel工作電源電流:100 uAPd-功率耗散:1000 mW產品類型:Translation - Voltage Levels4500子類別:Logic ICs零件號別名:934068531014單位重量:4.530 mg
對于需要更強 ESD 事件保護的應用，通常可以采用齊納二極管、金屬氧化物壓敏電阻（MOV）、瞬態電壓抑制器（TVS）和二 極管等分立器件。
不過，這些器件會在信號線路上造成電容和漏電流增加，因此可能導致信號完整性問題；這意味著設計人員需要仔細考量，并在性能和可靠性之間進行權衡。
LIN用作“智能”傳感器和以12V工作的執行器之間的車載網絡和通信串行總線。LIN利用一種具有一個主控制單元和一個或多個從單元的主從配置。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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