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TPS7H4002-SP是抗輻射加固的5.5V 3A同步降壓轉換器

發布時間:2021/11/6 22:03:04 訪問次數:741

工控內存模塊多支持-40攝氏度~85攝氏度寬溫,然而85℃的耐受溫度,已逐漸無法滿足所有進階工業級應用,像是長時間高溫曝曬并持續運轉的自駕車載系統,便在溫度散熱上面臨嚴峻考驗。

以-40攝氏度~125攝氏度極寬溫新品鎖定全球Level 2以上自駕車載市場,幫助現代化自駕車輛以及各式嚴苛應用環境,有效對抗極端的室外高、低溫差,并克服車內電子設備高速演算所產生的大量熱能,讓自動跟車、車道偏離警示等先進車用科技,都能穩定運行并同時兼顧行車安全性。

此外,許多工業計算機已開始實行無風扇設計,雖然整體設備更輕巧,卻也加深機體散熱難度。

制造商:Monolithic Power Systems (MPS) 產品種類:開關穩壓器 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-12 拓撲結構:Buck 輸出電壓:600 mV to 5.5 V 輸出電流:5 A 輸出端數量:1 Output 最大輸入電壓:6.25 V 最小輸入電壓:2.8 V 靜態電流:40 uA 開關頻率:2 MHz 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標:Monolithic Power Systems (MPS) 輸入電壓:2.8 V to 6.25 V 工作電源電流:40 uA 產品:Switching Regulators 產品類型:Switching Voltage Regulators 工廠包裝數量5000 子類別:PMIC - Power Management ICs 電源電壓-最小:2.8 V 類型:Synchronous Step-Down Switcher 單位重量:22 mg

TPS7H4002-SP是抗輻射加固的5.5V 3A同步降壓轉換器,通過高效和集成了高邊和低邊MOSFET具有最佳的小型化設計.

通過電流模式控制,降低了元件數量進一步節省了空間,而高開關頻率又降低了電感的占位面積.

抗輻射加固高達TID 100 krad(Si),SEL, SEB和SEGR 免疫到LET = 75 MeV-cm2/mg,SET 和SEFI 特征化高達LET = 75 MeV-cm2/mg,峰值效率為96.9% (VO = 2.5 V),集成了50-mΩ和35-mΩ MOSFET,最大輸出電流3A.

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

工控內存模塊多支持-40攝氏度~85攝氏度寬溫,然而85℃的耐受溫度,已逐漸無法滿足所有進階工業級應用,像是長時間高溫曝曬并持續運轉的自駕車載系統,便在溫度散熱上面臨嚴峻考驗。

以-40攝氏度~125攝氏度極寬溫新品鎖定全球Level 2以上自駕車載市場,幫助現代化自駕車輛以及各式嚴苛應用環境,有效對抗極端的室外高、低溫差,并克服車內電子設備高速演算所產生的大量熱能,讓自動跟車、車道偏離警示等先進車用科技,都能穩定運行并同時兼顧行車安全性。

此外,許多工業計算機已開始實行無風扇設計,雖然整體設備更輕巧,卻也加深機體散熱難度。

制造商:Monolithic Power Systems (MPS) 產品種類:開關穩壓器 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-12 拓撲結構:Buck 輸出電壓:600 mV to 5.5 V 輸出電流:5 A 輸出端數量:1 Output 最大輸入電壓:6.25 V 最小輸入電壓:2.8 V 靜態電流:40 uA 開關頻率:2 MHz 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標:Monolithic Power Systems (MPS) 輸入電壓:2.8 V to 6.25 V 工作電源電流:40 uA 產品:Switching Regulators 產品類型:Switching Voltage Regulators 工廠包裝數量5000 子類別:PMIC - Power Management ICs 電源電壓-最小:2.8 V 類型:Synchronous Step-Down Switcher 單位重量:22 mg

TPS7H4002-SP是抗輻射加固的5.5V 3A同步降壓轉換器,通過高效和集成了高邊和低邊MOSFET具有最佳的小型化設計.

通過電流模式控制,降低了元件數量進一步節省了空間,而高開關頻率又降低了電感的占位面積.

抗輻射加固高達TID 100 krad(Si),SEL, SEB和SEGR 免疫到LET = 75 MeV-cm2/mg,SET 和SEFI 特征化高達LET = 75 MeV-cm2/mg,峰值效率為96.9% (VO = 2.5 V),集成了50-mΩ和35-mΩ MOSFET,最大輸出電流3A.

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