PN結反向電流和亞閾值電流高側充電/放電FET電池保護
發布時間:2021/11/16 22:47:09 訪問次數:172
全新IC的高集成度簡化了設計周期并顯著降低客戶系統BOM成本，將設計和BOM選擇周期從數月縮短至數周。這些IC還內置自診斷功能，從而提高了其安全功能，減少固件工作量，減輕為滿足安全標準所需的設計負擔。
芯片電路的功耗主要來自兩方面：動態功耗和靜態功耗。動態功耗主要是電容的充放電和短路電流。靜態功耗主要是漏電流，包括PN結反向電流和亞閾值電流，以及穿透電流。如果工作時序及軟件算法設計有缺陷，會降低系統工作效率、延長工作時間，也會直接增加系統能量的消耗。
產品種類: 總線收發器
RoHS: 詳細信息
邏輯系列: 74ALVCH
輸入電平: LVTTL
輸出電平: LVTTL
輸出類型: 3-State
高電平輸出電流: - 24 mA
低電平輸出電流: 24 mA
傳播延遲時間: 4.8 ns
電源電壓-最大: 3.6 V
電源電壓-最小: 1.65 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝 / 箱體: SSOP-56
封裝: Reel
商標: Texas Instruments
功能: Latched Transceiver
高度: 2.59 mm
長度: 18.41 mm
安裝風格: SMD/SMT
通道數量: 16
電路數量: 2
工作電源電壓: 1.65 V to 3.6 V
RAA489206的關鍵特性
16串電芯電壓測量
內部（10mA）和外部（200mA）電芯平衡選項
工作電壓范圍為12-55V，電壓測量精度為+/-10mV
最多可減少20cm2電路板面積
低側電流感應測量
高側充電/放電FET電池保護
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
全新IC的高集成度簡化了設計周期并顯著降低客戶系統BOM成本，將設計和BOM選擇周期從數月縮短至數周。這些IC還內置自診斷功能，從而提高了其安全功能，減少固件工作量，減輕為滿足安全標準所需的設計負擔。
芯片電路的功耗主要來自兩方面：動態功耗和靜態功耗。動態功耗主要是電容的充放電和短路電流。靜態功耗主要是漏電流，包括PN結反向電流和亞閾值電流，以及穿透電流。如果工作時序及軟件算法設計有缺陷，會降低系統工作效率、延長工作時間，也會直接增加系統能量的消耗。
產品種類: 總線收發器
RoHS: 詳細信息
邏輯系列: 74ALVCH
輸入電平: LVTTL
輸出電平: LVTTL
輸出類型: 3-State
高電平輸出電流: - 24 mA
低電平輸出電流: 24 mA
傳播延遲時間: 4.8 ns
電源電壓-最大: 3.6 V
電源電壓-最小: 1.65 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝 / 箱體: SSOP-56
封裝: Reel
商標: Texas Instruments
功能: Latched Transceiver
高度: 2.59 mm
長度: 18.41 mm
安裝風格: SMD/SMT
通道數量: 16
電路數量: 2
工作電源電壓: 1.65 V to 3.6 V
RAA489206的關鍵特性
16串電芯電壓測量
內部（10mA）和外部（200mA）電芯平衡選項
工作電壓范圍為12-55V，電壓測量精度為+/-10mV
最多可減少20cm2電路板面積
低側電流感應測量
高側充電/放電FET電池保護
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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