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高瞬態電流尖峰Rambus在DDR5內存接口產品保持最新力證

發布時間:2021/11/18 23:13:34 訪問次數:199

在自由空氣對流冷卻環境下,AEA1000F能夠在長達3000ms的時間內提供330%峰值功率,能夠出色的響應最新的工業和醫療設備市場需求。

現在,工業應用需要高效且能夠在各種環境中以較高的安全性工作的電源。AEA1000F已通過EN62477-1三類過電壓(OVC Ⅲ)認證,這意味著由該產品供電的最終設備可以直接連到主配電板,而不用增加額外的隔離。

這簡化了系統設計人員的工作難度,降低了成本,保證了效率。

第二代寄存時鐘驅動器(RCD)將DDR5數據速率提高17%,同時降低延時和功耗.

RCD是DDR5服務器DIMM的關鍵賦能部件,提供了下一代數據中心所需的帶寬和容量。實現5600MT/s數據傳輸速率是Rambus在DDR5內存接口產品領域保持領先的最新力證。

與DDR4相比,DDR5內存在DIMM中內置更多智能功能,可將數據傳輸速率提高一倍,容量提升至四倍,同時還降低了功耗、提高了內存效率。Rambus內存接口芯片是下一代服務器實現全新性能水平的關鍵。

IHSR-2525CZ-51典型直流內阻低至0.38 mΩ,電感值為0.056 μH,在同類技術中具有更高電流密度,3 mm高度使成品設計得以更加輕薄。

這兩個系列不僅可以滿足日漸增長的移動便攜式和可穿戴應用、汽車和工業應用的需求及監管要求,也可以支持Q產品組合器件。

電感器封裝采用100 %無鉛(Pb)屏蔽復合結構,蜂鳴噪聲降至超低水平,具有高抗熱沖擊、耐潮濕、抗機械振動能力,可無飽和處理高瞬態電流尖峰。器件符合RoHS和Vishay綠色標準,無鹵素。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

在自由空氣對流冷卻環境下,AEA1000F能夠在長達3000ms的時間內提供330%峰值功率,能夠出色的響應最新的工業和醫療設備市場需求。

現在,工業應用需要高效且能夠在各種環境中以較高的安全性工作的電源。AEA1000F已通過EN62477-1三類過電壓(OVC Ⅲ)認證,這意味著由該產品供電的最終設備可以直接連到主配電板,而不用增加額外的隔離。

這簡化了系統設計人員的工作難度,降低了成本,保證了效率。

第二代寄存時鐘驅動器(RCD)將DDR5數據速率提高17%,同時降低延時和功耗.

RCD是DDR5服務器DIMM的關鍵賦能部件,提供了下一代數據中心所需的帶寬和容量。實現5600MT/s數據傳輸速率是Rambus在DDR5內存接口產品領域保持領先的最新力證。

與DDR4相比,DDR5內存在DIMM中內置更多智能功能,可將數據傳輸速率提高一倍,容量提升至四倍,同時還降低了功耗、提高了內存效率。Rambus內存接口芯片是下一代服務器實現全新性能水平的關鍵。

IHSR-2525CZ-51典型直流內阻低至0.38 mΩ,電感值為0.056 μH,在同類技術中具有更高電流密度,3 mm高度使成品設計得以更加輕薄。

這兩個系列不僅可以滿足日漸增長的移動便攜式和可穿戴應用、汽車和工業應用的需求及監管要求,也可以支持Q產品組合器件。

電感器封裝采用100 %無鉛(Pb)屏蔽復合結構,蜂鳴噪聲降至超低水平,具有高抗熱沖擊、耐潮濕、抗機械振動能力,可無飽和處理高瞬態電流尖峰。器件符合RoHS和Vishay綠色標準,無鹵素。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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