電子器件和電機是現代社會的支柱，很難想象失去讓我們高效、舒適、信息豐富、娛樂的眾多電子器件后的工作和生活。可以非常概括地說，這些設備都需要電力才能運行，包括用于500kW工業電機的可變頻率和振幅的三相交流電以及用于數字處理器的0.6V直流電。

從化石燃料或可再生能源中的潛能一直到CPU內核電壓，都需要功率轉換級以及盡可能降低散逸到環境中的損耗。然而，隨著全球能耗不斷增加（2019年約為180,000 TWh），不完美的轉換效率會導致產生的熱量增加，加劇全球變暖，提高電力供應商和消費者等各方的成本。

從檢測到保護只需30納秒，GaNSense技術比分立式的氮化鎵功率芯片的實現方案快 600%。

新的GaNFast功率芯片的RDS(ON)范圍為120至450毫歐，采用5 x 6 mm或6 x 8 mm PQFN封裝，具有GaNSense保護電路和無損電流感應。

作為納微第三代氮化鎵功率芯片，針對現代電源轉換拓撲結構進行了優化，包括高頻準諧振反激式（HFQR）、有源鉗位反激式（ACF）和PFC升壓，這些都是移動和消費市場內流行的提供最快、最高效和最小的充電器和適配器的技術方法。

這些器件嵌入高速存儲器(2MB閃存和640KB SRAM,用于靜態存儲器的靈活存儲器控制器(FSMC),兩個OctoSPI閃存接口和廣泛的增強I/O和外設,連接兩條APB總線,兩條AHB總線和32位多AHB總線矩陣.

快速12位ADC(5Mbps),兩個比較器,兩個運算放大器,兩個DAC通路,內部電壓基準緩沖器,低功耗RTC,兩個通用16位計時器,專用于馬達控制的16位PWM計時器,七個通用16位計時器和兩個16位低功耗計時器.

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