納微半導體下一代采用GaNSense技術的GaNFast氮化鎵功率芯片產品，對潛在的系統故障模式提供了高度準確和有效的防護。

再加上對高達800V的瞬態電壓的免疫力以及嚴格的柵極波形控制和電壓調節，這些功能只有通過我們專有的工藝設計套件才能實現，重新定義了功率半導體中可靠性、堅固性和性能的新標準。

采用GaNSense技術的新一代納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片有十個型號，他們都集成了氮化鎵功率器件、氮化鎵驅動、控制和保護的核心技術，所有產品的額定電壓為650V/800V，具有2kV ESD保護。

支持四個數字濾波器,用于Sigma-Delta調制器(DFSDM).此外還可提供多達24個電容性檢測通路.主要用在財產跟蹤,計量和車隊管理服務.

在GDDR的設計之初，其定位是針對圖形顯示卡所特別優化的一種DDR內存。因為2000年后電腦游戲特別是3D游戲的發展和火爆，使運行電腦游戲的顯卡需要有大量的高速圖像數據交互需求，GDDR在這種情況下應運而生。

直流轉換始終是開關模式電源的一個不可分割的元素，包括直接轉換或作為中間級，但是這些年來，功率電平和電壓電平發生了顯著變化。

早期的設備電源會將經過整流的主電源交流電轉換成12V直流電等，以便用于模擬和一般用途，還可以相對寬松地轉換成5V穩壓電，用于TTL邏輯電路。現在，大部分功率都是數字電路電源軌消耗的，這些電源軌需要更準確，而且通常不到1V。

對于同樣的功率，當使用低壓時，電流電平會增加，造成更高的互聯損耗。此外，傳統整流器二極管等固定壓降更大程度上變成了終端電壓的一部分，造成了更多的損耗。

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