電流測量精度和GaNFast響應時間，GaNSense技術縮短50%的危險時間，危險的過電流峰值降低50%。GaNFast氮化鎵功率芯片單片集成提供了可靠的、無故障的操作，沒有 "振鈴"，從而提高了系統可靠性。

內置升壓的單節鋰電池3.7V供電音頻功放在拉桿音箱以及便攜式藍牙小音箱上應用已非常廣泛，采用2歐姆低阻抗喇叭在拉桿音箱上也很常見。

當前電荷泵升壓至6.3V上下/功率3-5W/4歐以及電感Boost升壓至7V左右/功率6-8W/3歐較為常見。3.7V單節鋰電內置升壓音頻功放如果升壓值再往上提,尤其輸出又支持2歐低阻抗喇叭時,面臨很多挑戰。

升壓值越高壓差越大必然效率越低，喇叭阻抗越低音頻驅動模塊效率也越低，對內部驅動管要求也越高，再加上升壓模塊，音頻模塊都集成在一個芯片上，對芯片封裝散熱相應要求就更高。

此時，整個芯片工作效率就格外重要。直接關乎到音頻功放隨溫升性能指標下降或者芯片過溫保護無法正常工作。另外，效率低等于對電池要求高，電池低電時愈明顯，關系到電池保護板放電電流大小、電池容量、續航時間等。

單喇叭音箱3.7V單節鋰電池保護板大多都是單MOS管/雙MOS管或者放電電流3A～6A。

第一個GDDR標準是基于DDR的GDDR2，隨后發展到了基于DDR3的GDDR5，在一段時間中非常流行.16n預取的四倍數據速率模式，但代價是訪問粒度從GDDR5的32Byte提高到了64Byte。

GDDR一直以來是針對圖形顯示卡所優化的一種DDR內存。因為顯卡處理圖像數據，特別是3D圖像數據對顯存帶寬的要求更高，GPU和GDDR之間的數據交換非常頻繁。

而DDR內存專注于與CPU進行數據交換的效率，因此對于整體存取性能、低延遲更為看重，所以在CPU和傳統的FPGA中基本都是用DDR4。

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