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鋰離子電池充電電平所要求\1.3安(A)的較大直接充電流

發布時間:2021/12/22 12:51:36 訪問次數:1538

NCP370集成了低導通阻抗(Ron)的N溝道MOSFET,有效支持便攜電子產業最新的鋰離子電池充電電平所要求的高達1.3安(A)的較大直接充電流。

NCP370是安森美半導體新一代OVP產品其中的一款,提供幾種不同的過壓閾值來配合下行應用的最大額定值要求。

這器件還提供另一種“反向”模式,實現對源自便攜設備電池的反向電流的穩流,為廣泛連接在便攜設備底部連接器上的FM收發器、音頻功能或閃光功能等外部附件供電。

DDR5 內存將供電電路移至 PCB 的做法,可以更好地發揮內存條的超頻潛能,保證供電更穩定,并有助于在服務器上的應用,但是這一做法使得每條內存都需要增加額外的供電電路,大幅提高了廠商采購元器件的難度和成本。

目前 Renesas 瑞薩電子、IDT、Montage Technologies、德州儀器、三星電子這幾家廠商有能力提供 DDR5 內存 PMIC 芯片,瑞薩的芯片還通過了英特爾的驗證。盡管三星有自己的芯片,但是其第一批 DDR5 內存條同樣使用了瑞薩電子的芯片。

通過不斷的設計優化,電動汽車和混合動力汽車比傳統的內燃機汽車能夠更加安靜,尤其是在停止的時侯,而駕駛員則對冷卻風扇等組件產生的噪音越來越敏感。

A89307 基于硬件的算法使設計人員能夠更輕松地降低風扇噪音,同時提高冷卻性能,并增加每次充電的續航里程數。這無論對于汽車用戶還是對環境都有好處。

A89307 集成有基于硬件的算法,無需外部傳感器或軟件開發,用戶只需使用簡單的圖形用戶界面(GUI) 選擇參數并將它們加載到 IC 的片上 E2EPROM。

(素材來源:eccn和21ic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


NCP370集成了低導通阻抗(Ron)的N溝道MOSFET,有效支持便攜電子產業最新的鋰離子電池充電電平所要求的高達1.3安(A)的較大直接充電流。

NCP370是安森美半導體新一代OVP產品其中的一款,提供幾種不同的過壓閾值來配合下行應用的最大額定值要求。

這器件還提供另一種“反向”模式,實現對源自便攜設備電池的反向電流的穩流,為廣泛連接在便攜設備底部連接器上的FM收發器、音頻功能或閃光功能等外部附件供電。

DDR5 內存將供電電路移至 PCB 的做法,可以更好地發揮內存條的超頻潛能,保證供電更穩定,并有助于在服務器上的應用,但是這一做法使得每條內存都需要增加額外的供電電路,大幅提高了廠商采購元器件的難度和成本。

目前 Renesas 瑞薩電子、IDT、Montage Technologies、德州儀器、三星電子這幾家廠商有能力提供 DDR5 內存 PMIC 芯片,瑞薩的芯片還通過了英特爾的驗證。盡管三星有自己的芯片,但是其第一批 DDR5 內存條同樣使用了瑞薩電子的芯片。

通過不斷的設計優化,電動汽車和混合動力汽車比傳統的內燃機汽車能夠更加安靜,尤其是在停止的時侯,而駕駛員則對冷卻風扇等組件產生的噪音越來越敏感。

A89307 基于硬件的算法使設計人員能夠更輕松地降低風扇噪音,同時提高冷卻性能,并增加每次充電的續航里程數。這無論對于汽車用戶還是對環境都有好處。

A89307 集成有基于硬件的算法,無需外部傳感器或軟件開發,用戶只需使用簡單的圖形用戶界面(GUI) 選擇參數并將它們加載到 IC 的片上 E2EPROM。

(素材來源:eccn和21ic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


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