SD42524采用了PWM調光和內部穩壓技術。PWM調光的精度高,與模擬調光相比,不會出現LED顏色偏移的現象,可以滿足在100Hz～2kHz范圍內從0～100％的調光要求。

芯片內部集成LDO,產生VDD電壓,可以作為調光用MCU的電源,使客戶在系統開發過程中更加便利。

由于芯片采用士蘭微電子先進的BCD工藝，并且內部使用了高精度的修調技術，芯片的輸出電流一致性好，不同批次的芯片輸出電流差異可以控制在±2%之內。

由于芯片的高效率，加上采用了SOP-8的封裝形式，管芯發熱小，散熱性能優良。

MCP6S91和MCP6S92產品采用8-PDIP,SOIC和MSOP封裝,MCP6S93產品采用MSOP封裝。

新器件可提供1通道和2通道輸入，有8個增益等級，能在較低的工作電流下實現1MHz至18 MHz的增益帶寬，降低了電源要求。新器件的工作電壓為2.5伏至5.5伏，工作溫度從-40oC到+125oC。

此外，新器件可以保持較低的噪音（10 nV/rtHz），以及較低的偏移電壓（150uV），總諧波失真加上噪聲（THD+N）僅為0.0011％，設定時間為200ns，能夠穩定運行于1、2、4、5、8、10、16和32V/V的增益系統。

其自主研發的車規級SiC芯片設計及工藝技術主要體現在兩個方面：

精細化元胞設計與工藝技術——多重自對準工藝設計，實現了精細元胞設計，較好地折衷了元胞區域氧化層電場和導通電阻之間的矛盾，得到了極低的比導通電阻；

高可靠高性能柵氧化技術——先進的柵氧化與退火技術，突破高可靠低界面缺陷SiC氧化技術，實現了高溝道遷移率，獲得了極低的比導通電阻。

MCP6S9X系列器件通過SPI總線實現編程，幫助用戶加強對增益和輸入通道選擇的控制，實現在其它狀態下難以達到的設計靈活性。

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