驅動BLDC電機相當復雜容量達到1Mibit芯片解決方案
發布時間:2022/2/28 13:10:26 訪問次數:364
單晶硅錠橫向切割成圓形的單個硅片,就得到了單晶硅片,這也就是我們常說的用來制造芯片的晶圓(Wafer)。單晶硅在電學性質和力學性質等方面的表現都要比多晶硅更好一些,所以半導體制造都是以單晶硅為基本材料。
BLDC電機通過三相線驅動,產生磁場,磁場再推動永久磁鐵,使定子移動并轉動電機。
理論上,這聽起來很容易,但實際上,驅動BLDC電機相當復雜,開發人員只能選擇使用軟件框架來驅動電機,或者選擇專用芯片解決方案。
Dsub-9連接器
直觀的LED用戶界面
20000 msg/s, 時間戳精度為100微秒
兼容Windows和Linux (包括 SocketCAN)
兼容 J1939, CANopen, NMEA 2000®和DeviceNet
完全兼容通過Kvaser CANlib為其他Kvaser CAN硬件編寫的應用程序。
Kvaser U100為終端用戶帶來極大價值,具備更寬的工作溫度范圍和CAN-FD兼容性,而且又顯著降低了成本,是堅固耐用型CAN FD的性價比之選。
eNVM的主流技術包括嵌入式閃存(eFlash)、一次可編程(OTP)NVM和多次可編程(MTP)NVM。eFlash是業界應用最廣泛的嵌入式非易失性存儲技術,其性能優越、可靠性高、存儲單元面積小。但該技術工藝兼容性差,需要在邏輯工藝的集成上增加額外的掩模板和工藝步驟,晶圓成本高、開發周期長。
MTP eNVM則兼具eFlash的靈活性、 高性能和OTP的工藝高兼容性。其重復擦寫次數可以達到104次以上, 容量也可以達到1Mibit。在現今的eNVM市場中,MTP存儲器的市場占有份額每年增長超過30%, 這意味著MTP技術已經得到市場越來越來廣泛的認可,并得到了越來越多的應用。
單晶硅錠橫向切割成圓形的單個硅片,就得到了單晶硅片,這也就是我們常說的用來制造芯片的晶圓(Wafer)。單晶硅在電學性質和力學性質等方面的表現都要比多晶硅更好一些,所以半導體制造都是以單晶硅為基本材料。
BLDC電機通過三相線驅動,產生磁場,磁場再推動永久磁鐵,使定子移動并轉動電機。
理論上,這聽起來很容易,但實際上,驅動BLDC電機相當復雜,開發人員只能選擇使用軟件框架來驅動電機,或者選擇專用芯片解決方案。
Dsub-9連接器
直觀的LED用戶界面
20000 msg/s, 時間戳精度為100微秒
兼容Windows和Linux (包括 SocketCAN)
兼容 J1939, CANopen, NMEA 2000®和DeviceNet
完全兼容通過Kvaser CANlib為其他Kvaser CAN硬件編寫的應用程序。
Kvaser U100為終端用戶帶來極大價值,具備更寬的工作溫度范圍和CAN-FD兼容性,而且又顯著降低了成本,是堅固耐用型CAN FD的性價比之選。
eNVM的主流技術包括嵌入式閃存(eFlash)、一次可編程(OTP)NVM和多次可編程(MTP)NVM。eFlash是業界應用最廣泛的嵌入式非易失性存儲技術,其性能優越、可靠性高、存儲單元面積小。但該技術工藝兼容性差,需要在邏輯工藝的集成上增加額外的掩模板和工藝步驟,晶圓成本高、開發周期長。
MTP eNVM則兼具eFlash的靈活性、 高性能和OTP的工藝高兼容性。其重復擦寫次數可以達到104次以上, 容量也可以達到1Mibit。在現今的eNVM市場中,MTP存儲器的市場占有份額每年增長超過30%, 這意味著MTP技術已經得到市場越來越來廣泛的認可,并得到了越來越多的應用。