單粒子效應：單個離子或粒子撞擊設備的特定區域，導致出現各種奇怪現象和誤差。

總電離輻射劑量(TID)：在部件的整個使用壽命期間，電離輻射對部件產生的長期累積效應。TID可能會導致偏移，例如增加某些元器件的供電電流。

位移損傷(DD)：大粒子(例如中子)可以破壞硅芯片的晶體結構，造成物理損傷。

穩壓原理取自變壓器T5二次側繞組的20V交流電壓,經3U1、3U2橋式整流和3E1、3E2穩壓后作為運算放大器3N的工作電源。反饋電壓yF和給定電壓Vc(RP上端到中點的電壓)及3N的負反饋電壓分別經輸人電阻3 RP1、3R3、3“加到3N的輸人端“12”。

運算放大器的輸出咣經射極輸出器輸出,是觸發器的移相控制電壓。當電網電壓波動時,移相電壓改變晶間管導通角,達到穩壓的目的。

電子管振蕩器電路ⅤE為電子管,作為振蕩器的放大管用。C25、C24、M(槽路線圈)、b、L6、L7組成反饋電路。田用來改變反饋電壓大小,沿順時針方向轉到與的同軸時,反饋電壓最大,田逆時針方向旋轉180°時,反饋電壓最小。

SH-2 CPU核心的50MHz SH7046系列，屬于SuperH族32RISC微控制器，用于此類應用。現在，為滿足更高的性能要求，SH7146系列操作速度高達80MHz，并具有廣泛的片上外設功能，包括逆變器控制定時器和A/D變換器。

新型微控制器包括瑞薩科技首創的SH-2 32位CPU核心,與目前的SH7046系列相比，在處理性能方面有很大的提高,最高工作頻率從50MHz提高到了80MHz,是先前系列的1.6倍。

GP100-C3A高頻感應加熱設備電氣線路及故障分析與排除，線路組成及工作原理，可控整流器由晶間管交流調壓和硅堆整流器組成。其輸出電壓在0~12,5kV范圍內均勻可調。