帶內部功率MOSFET浪涌抑制器是一種集成電路裝置
發布時間:2022/5/2 12:58:41 訪問次數:1005
R3系列驅動電源產品基于自主IC設計平臺，隔離電壓高達5000VAC，遠優于市場上常規產品(3750VAC），且滿足加強絕緣設計要求，整體可靠性得到極大提升。
滿足1700VDC長期絕緣要求(使用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET）
IGBT/SiC MOSFET多為中低壓應用，應用電壓為650V/900V/1200V/1700V；R3系列驅動電源基于IEC-61800-5-1標準要求，實現長期絕緣電壓(持續放電)滿足1700V，應用范圍覆蓋1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件；其中QA_H-R3/QA_HC-R3更是滿足了爬電距離>14.14mm。
VD-Diode modulc二極管組件
VE-Ca0∶上furnishi旦g擔anel(A330/A340)
客艙裝飾版(A330/A340)
VG-Ground tenminal point地線接線樁
VN-Ground point接地點
VP-Pressurc scal/Fced thru壓力封嚴
內置輸出電流和輸出電壓限制使浪涌抑制器能保護負載電子不受高壓輸入浪涌影響，并保護電源免于遭受下游過載和短路。
可調定時器在電壓或電流浪涌限制事件期間激活，保證系統不斷電，連續運行，以應對短暫故障,如果故障的持續時間超過定時器時間，則系統斷電。
R3系列驅動電源產品基于自主IC設計平臺，隔離電壓高達5000VAC，遠優于市場上常規產品(3750VAC），且滿足加強絕緣設計要求，整體可靠性得到極大提升。
滿足1700VDC長期絕緣要求(使用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET）
IGBT/SiC MOSFET多為中低壓應用，應用電壓為650V/900V/1200V/1700V；R3系列驅動電源基于IEC-61800-5-1標準要求，實現長期絕緣電壓(持續放電)滿足1700V，應用范圍覆蓋1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件；其中QA_H-R3/QA_HC-R3更是滿足了爬電距離>14.14mm。
VD-Diode modulc二極管組件
VE-Ca0∶上furnishi旦g擔anel(A330/A340)
客艙裝飾版(A330/A340)
VG-Ground tenminal point地線接線樁
VN-Ground point接地點
VP-Pressurc scal/Fced thru壓力封嚴
內置輸出電流和輸出電壓限制使浪涌抑制器能保護負載電子不受高壓輸入浪涌影響，并保護電源免于遭受下游過載和短路。
可調定時器在電壓或電流浪涌限制事件期間激活，保證系統不斷電，連續運行，以應對短暫故障,如果故障的持續時間超過定時器時間，則系統斷電。
相關技術資料- 11-23模擬和混合信號平臺Treo詳情
- 11-23PXI和LXI模塊化解決方案解讀
- 11-23AN-13-0004_CAN收發器結構參數特點應用設計
- 11-23屏蔽柵槽溝技術 (SGT)主要特性及功能應用
- 11-23第一代SGT MOSFET系列技術結構參數封裝
- 11-23全球首顆GSE DPU芯片發布
- 11-22新一代5G-A模組RG650V-NA結構技術參數應用及需求分析
- 11-22電池儲能系統 (BESS)結構設計及解決方案
- 11-22全新高脈沖制動電阻系列參數技術應用設計
- 11-22Telcordia GR-468 CORE測試應用全
- 11-22DSP（數字信號處理器）系列介紹
- 11-22AI ISP的技術優勢和市場發展趨勢
公網安備44030402000607
