3mm厚面板感測單面直接水冷(SSDC)功率模塊
發布時間:2022/5/12 12:45:58 訪問次數:455
VE-Trac Direct SiC是個集成的單面直接水冷 (SSDC)功率模塊，采用6組配置，導通電阻低至1.7 mΩ。該平臺采用了第二代SiC MOSFET技術，使性能、能效和質量都達到新的水平，同時與上一代IGBT共享兼容的封裝尺寸。
一個集成的針翅式(pin fin)底板可直接進行液體冷卻，并易于封裝，從而支持最大的功率輸出和更高效的散熱。
VE-Trac Direct SiC主驅功率模塊在測試中提供了最好的能效，使我們的駕駛循環(NEDC)里程比目前的硅方案延長了4%。產品高性能和可靠性及工程和管理團隊的出色支援，使我們信服。
這兩種器件采用TSSOP封裝，主要針對便攜式和家用電器應用。
它們具有更低的功耗，增強了在苛刻感測條件下工作的能力，并且能很方便地在轉輪中心安置一個機械按鈕(QT511)，使轉輪無需反應無意的觸摸。
兩種芯片都具有用戶可選擇睡眠時間的特性，在空閑模式時可將功耗降低至20μA。
三個通道與感測器件相連，信號被處理成128點的絕對位置數據，通過一個SPI串行接口輸出。QT411和QT511可以透過3mm厚的面板來感測，甚至在戴著手套的情況下也能感測。
L標準件號
|A=綠色/鎳鋁錳合金
|B=灰色/鎳鉻合金
ABS02苓9系列拼接管件號描述
并行拼接管施工以NSA936809 RG系列拼接管為例,NSA936809 RG系列類型拼接管屬于高溫并行
拼接管,適用工作溫度為260℃,壓接裝配程序.
VE-Trac Direct SiC是個集成的單面直接水冷 (SSDC)功率模塊，采用6組配置，導通電阻低至1.7 mΩ。該平臺采用了第二代SiC MOSFET技術，使性能、能效和質量都達到新的水平，同時與上一代IGBT共享兼容的封裝尺寸。
一個集成的針翅式(pin fin)底板可直接進行液體冷卻，并易于封裝，從而支持最大的功率輸出和更高效的散熱。
VE-Trac Direct SiC主驅功率模塊在測試中提供了最好的能效，使我們的駕駛循環(NEDC)里程比目前的硅方案延長了4%。產品高性能和可靠性及工程和管理團隊的出色支援，使我們信服。
這兩種器件采用TSSOP封裝，主要針對便攜式和家用電器應用。
它們具有更低的功耗，增強了在苛刻感測條件下工作的能力，并且能很方便地在轉輪中心安置一個機械按鈕(QT511)，使轉輪無需反應無意的觸摸。
兩種芯片都具有用戶可選擇睡眠時間的特性，在空閑模式時可將功耗降低至20μA。
三個通道與感測器件相連，信號被處理成128點的絕對位置數據，通過一個SPI串行接口輸出。QT411和QT511可以透過3mm厚的面板來感測，甚至在戴著手套的情況下也能感測。
L標準件號
|A=綠色/鎳鋁錳合金
|B=灰色/鎳鉻合金
ABS02苓9系列拼接管件號描述
并行拼接管施工以NSA936809 RG系列拼接管為例,NSA936809 RG系列類型拼接管屬于高溫并行
拼接管,適用工作溫度為260℃,壓接裝配程序.
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公網安備44030402000607
