二極管的檔位測試二極管壓降自動化部署和風險預測
發布時間:2022/5/28 19:30:48 訪問次數:257
高k金屬柵極(HKMG)工藝的DDR5內存模塊,HKMG工藝被三星GDDR6內存采用,現在已擴展到DDR5內存,一款新的24 Gb DDR5芯片,該芯片采用采用EUV工藝的尖端D1a納米技術開發。
損傷容限設計方法是對傳統設計方法的補充和發展。它避免由于構件存在初始缺陷或出現裂紋被漏檢而引起的飛行安全事故,同時又對結構件上的裂紋擴展進行研究,科學地制定出對飛機結構進行檢修的周期。所以,與傳統的安全壽命設計相比,它是一種比較安全、合理和經濟的方法。
DC/DC變流器IC可能在整個產品系統并不起眼,但它們對產品的穩定可靠工作至關重要。
在系統上正確地實現變流器IC的功能,在實際應用中依然因為種種原因導致IC不正常工作問題,例如啟動異常,輸出電壓不穩定,紋波過大甚至IC損壞等等。
大部分時候,引起IC異常工作的原因并不復雜,簡單的調試可以快速地定位并解決問題,幾點針對升壓變流器的調試經驗。
因為電路需要,IC內部在GND pin腳與其他pin腳之間有一個二極管。使用萬用表測試二極管的檔位測試這些二極管壓降,可以間接排查IC的虛焊問題。二極管壓降一般在0.5V~0.7V之間。
耐久性設計飛機結構的耐久性是指飛機結構在規定的經濟壽命期間內,抵抗疲勞開裂、腐蝕、熱退化、剝離、磨損和外來物偶然損傷作用的一種固有能力。
SNA Center可以實時感知網絡狀態,基于用戶意圖或網絡狀態分析可以實現業務自動化部署和風險預測,讓網絡更加智能,能夠更加簡潔、智慧、高效的為業務服務。
此時結構必須進行修理(稱為經濟修理),否則繼續擴展下去將會造成結構功能損傷或維修費用劇增影響到飛機的備用性。
高k金屬柵極(HKMG)工藝的DDR5內存模塊,HKMG工藝被三星GDDR6內存采用,現在已擴展到DDR5內存,一款新的24 Gb DDR5芯片,該芯片采用采用EUV工藝的尖端D1a納米技術開發。
損傷容限設計方法是對傳統設計方法的補充和發展。它避免由于構件存在初始缺陷或出現裂紋被漏檢而引起的飛行安全事故,同時又對結構件上的裂紋擴展進行研究,科學地制定出對飛機結構進行檢修的周期。所以,與傳統的安全壽命設計相比,它是一種比較安全、合理和經濟的方法。
DC/DC變流器IC可能在整個產品系統并不起眼,但它們對產品的穩定可靠工作至關重要。
在系統上正確地實現變流器IC的功能,在實際應用中依然因為種種原因導致IC不正常工作問題,例如啟動異常,輸出電壓不穩定,紋波過大甚至IC損壞等等。
大部分時候,引起IC異常工作的原因并不復雜,簡單的調試可以快速地定位并解決問題,幾點針對升壓變流器的調試經驗。
因為電路需要,IC內部在GND pin腳與其他pin腳之間有一個二極管。使用萬用表測試二極管的檔位測試這些二極管壓降,可以間接排查IC的虛焊問題。二極管壓降一般在0.5V~0.7V之間。
耐久性設計飛機結構的耐久性是指飛機結構在規定的經濟壽命期間內,抵抗疲勞開裂、腐蝕、熱退化、剝離、磨損和外來物偶然損傷作用的一種固有能力。
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此時結構必須進行修理(稱為經濟修理),否則繼續擴展下去將會造成結構功能損傷或維修費用劇增影響到飛機的備用性。