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背板和電纜多點數據傳輸調節集電極峰值電壓值

發布時間:2022/7/11 22:17:38 訪問次數:287

ADN4693E-1是多點低壓差分信號(M-LVDS)收發器(驅動器和接收器對), 工作速率最高可達200 Mbps (100 MHz)不歸零(NRZ). 

接收器可在該器件的共模電壓范圍內利用低至±50 mV的差分輸入檢測總線狀態. 

主要用在背板和電纜多點數據傳輸,多點時鐘分配,低功耗高速替代器件,可縮短RS-485鏈路網絡和無線基站基礎設施和電網基礎設施和繼電器保護系統.

這些應用場景下,器件工作溫度可達+110 °C,相比之下,接近的競品器件為+80 °C。

根據P或N溝道管型,將測試選擇開關置PNP或NPN,將階梯極性置倒置或常態。

將被測管的D、G、s腳對應地插入儀器的c、b、e測試端。

將Y軸電流/度置于rc合適擋級(實際為JDs值),X軸電壓/度置于σc合適擋級(實際為σDs值),按照σDs要求值,調節集電極峰值電壓值,階梯幅度/級置電壓/級的某一合適擋級,并選擇合適的功耗限制電阻。

對顯示的JDs-rD曲線讀數或記錄。

如果需顯示yGs~JD曲線,可將X軸電壓/度置于基極電流或基極源電壓擋級。

晶問管特性測試 測試電路如圖15―65所示。測試選擇置NPN,階梯極性置常態。被測管的A、G、K腳對應地插人儀器的c、b、e測試端。


Vishay Semiconductors VCNT2025X01將紅外發射器、硅光電晶體管探測器和日光阻擋濾光片裝在2.5mmx2.0mmx0.6mm小型表面貼裝封裝中,厚度低于上一代解決方案,改進了性能,提高了電流傳輸比(CTR)和工作溫度。

傳感器內置的日光阻擋濾光片能大幅抑制雜擾的環境光,從而提高信噪比。器件牢固的FAM封裝降低串擾,易于吸附焊錫的側邊焊盤方便焊點光學檢查。

VCNT2025X01厚度為0.6mm,比上一代器件低0.2mm,是一種節省空間的解決方案,可用于車載電子系統、辦公設備和家用電器的光開關,工業自動化系統的光編碼,打印機和復印機的紙張檢測。



ADN4693E-1是多點低壓差分信號(M-LVDS)收發器(驅動器和接收器對), 工作速率最高可達200 Mbps (100 MHz)不歸零(NRZ). 

接收器可在該器件的共模電壓范圍內利用低至±50 mV的差分輸入檢測總線狀態. 

主要用在背板和電纜多點數據傳輸,多點時鐘分配,低功耗高速替代器件,可縮短RS-485鏈路網絡和無線基站基礎設施和電網基礎設施和繼電器保護系統.

這些應用場景下,器件工作溫度可達+110 °C,相比之下,接近的競品器件為+80 °C。

根據P或N溝道管型,將測試選擇開關置PNP或NPN,將階梯極性置倒置或常態。

將被測管的D、G、s腳對應地插入儀器的c、b、e測試端。

將Y軸電流/度置于rc合適擋級(實際為JDs值),X軸電壓/度置于σc合適擋級(實際為σDs值),按照σDs要求值,調節集電極峰值電壓值,階梯幅度/級置電壓/級的某一合適擋級,并選擇合適的功耗限制電阻。

對顯示的JDs-rD曲線讀數或記錄。

如果需顯示yGs~JD曲線,可將X軸電壓/度置于基極電流或基極源電壓擋級。

晶問管特性測試 測試電路如圖15―65所示。測試選擇置NPN,階梯極性置常態。被測管的A、G、K腳對應地插人儀器的c、b、e測試端。


Vishay Semiconductors VCNT2025X01將紅外發射器、硅光電晶體管探測器和日光阻擋濾光片裝在2.5mmx2.0mmx0.6mm小型表面貼裝封裝中,厚度低于上一代解決方案,改進了性能,提高了電流傳輸比(CTR)和工作溫度。

傳感器內置的日光阻擋濾光片能大幅抑制雜擾的環境光,從而提高信噪比。器件牢固的FAM封裝降低串擾,易于吸附焊錫的側邊焊盤方便焊點光學檢查。

VCNT2025X01厚度為0.6mm,比上一代器件低0.2mm,是一種節省空間的解決方案,可用于車載電子系統、辦公設備和家用電器的光開關,工業自動化系統的光編碼,打印機和復印機的紙張檢測。



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