PCM讀取反應時間與最小單元一比特的NOR閃存相當，而它的的帶寬可以媲美DRAM。相對的，NAND閃存因隨機存儲時間長達幾十微秒，無法完成代碼的直接執行。

PCM能夠達到如同NAND的寫入速度,但是PCM的反應時間更短,且無需單獨的擦除步驟。

NOR閃存具有穩定的寫入速度，但是擦除時間較長。PCM同RAM一樣無需單獨擦除步驟，但是寫入速度(帶寬和反應時間)不及RAM。隨著PCM技術的不斷發展，存儲單元縮減，PCM將不斷被完善。

縮放比例是PCM的第五個不同點。NOR和NAND存儲器的結構導致存儲器很難縮小體型。

這不僅會增大誤碼率，而且降低使用壽命。隨著光刻制程尺寸的減小，快閃存儲器密度會進一步提高，錯誤率也會增大。

高級控制器技術提升可靠度盡管快閃存儲器儲存可靠性面臨著上述挑戰，但我們仍然能夠將其用于日常的消費類、商業類甚至關鍵任務性的應用，這方面主要得益于先進的快閃存儲器控制器技術。這些控制器結合了在磨損平衡、電源故障管理和糾錯等方面的先進技術，使我們能夠安全可靠地使用當今的高密度快閃存儲器。

ModusToolbox™3.0開發平臺兼容，可助力開發者以此為基礎面向各種應用場景獲得獨特的開發體驗，包括消費物聯網、汽車人機交互（HMI）、工業、智能家居、可穿戴設備等應用。

除了PSoC 4之外，ModusToolbox 3.0開發平臺還能夠兼容使用PSoC 6、XMC™、AIROC™Wi-Fi、AIROC Bluetooth®和EZ-PD™ PMG1微控制器等產品的嵌入式應用。

二極管的符號和編號,二極管一般用字母D、VD等表示。除了穩壓二極管,常用的二極管還有整流二極管、開關二極管、檢波二極管、快恢復二極管、發光二極管等。二極管的符號和編號。