VM系列模塊提供全雙工串行TTL電平的UART接口以及基于TTL擴展的RS232或RS485接口，默認端口設置為“9600,N,8,1” ， 并支持由軟件修改為9600~460800bps通訊速率。

UART的TTL電平邏輯高為VDD，邏輯低為GND， 與非3.3V單片機進行連接時，要注意邏輯電平的轉換。TXD為強推挽輸出管腳， RXD為輸入管腳。管腳485CR為數據收發指示管腳， 模塊向外發送數據時管腳485CR輸出高電平（ 強推挽），非發送時輸出低電平。 

利用這一邏輯特性， 當在UART外部連接 RS485電平轉換芯片時，發送指示管腳可作為半雙工485芯片的收發控制管腳使用。

注： 當模塊為RS485接口版本時， 485CR管腳已在模塊內部連接到了485芯片（ VM511、VM614、 VM618、 VM704S）。

例如，如果主機系統在相同的位址更新數據，FTL會將該邏輯位址轉換為新的物理位址，以便在快閃存儲器驅動器上均勻地分布磨損，大幅度地提高耐用性。

FTL映射邏輯到物理位址的粒度對性能和耐久性都有很大的影響。消費類USB和SD卡等較簡單的快閃存儲器介質使用基于區塊的映射，在區塊層級(大小為百萬位元)執行映射。由于每個邏輯頁面都直接映射到固定的物理頁面，磨損平衡發生在區塊層級，因而在頁面層級無法產生優化。

門電路的厚度是一定的，它需要多于10V的供電，CMOS邏輯門需要1V或更少。這種縮小通常被成為摩爾定律，存儲器每縮小一代其密集程度提高一倍。隨著存儲單元的縮小，GST材料的體積也在縮小，這使得PCM具有縮放性。

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