高壓功率系統設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續創新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰性的要求。

額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來越高，如今的1700V SiC產品便是在其成功的基礎上打造而成。技術的進步推動終端設備取得了極大的發展.

設計人員可借助適當的功率器件封裝和柵極驅動最大程度地發揮1700V SiC MOSFET的優勢，這樣便能在最寬的功率水平內擴大其相對于現有硅解決方案的優勢。

此外，完整配置系統還需要微控制器(MCU)、數據集中器和無線收發器。從頭開始設計無線LED照明控制系統是一項多學科的任務，需要承擔很大的風險，并可能延遲上市時間。

作為替代方法，設計人員可以使用預制的聯網LED照明控制開發平臺。這些平臺具有高能效、高 PF，以及全面的無線控制功能（開/關、調光和其他模式）和多個獨立控制的LED通道，提供最大的設計靈活性。

超聲系統由換能器、發射電路、接收電路、后端數字處理電路、控制電路和顯示模塊等組成。數字處理模塊通常包含現場可編程門陣列(FPGA)，FPGA根據系統的配置和控制參數，生成發射波束合成及相應的波形模式。發射電路中的驅動和高壓電路生成高壓信號來激勵超聲換能器。

T/R開關的主要目的是防止高壓發射信號損壞低壓接收模擬前端。

模擬電壓信號經過信號調理、放大和濾波后，傳輸至集成ADC的模擬前端，然后轉換成數字數據。數字數據通過JESD204B或LVDS接口發送到FPGA進行接收波束合成，再到后端數字部分進一步處理，從而生成超聲圖像。

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