可擴展碳化硅(SiC)驅動器參考設計解決方案，其基礎為一系列碳化硅MOSFET產品和的ADuM4135 5KV隔離柵極驅動器。

新的參考設計為客戶提供高度隔離的碳化硅MOSFET雙柵極驅動開關，以便通過多個拓撲來評估碳化硅MOSFET。這包括為支持同步死區時間保護的半橋開關和無保護異步信號傳輸而優化的模式。

通過配置，它也可以提供并行驅動以滿足研究非鉗位感應開關(UIS) 或雙脈沖測試的要求。該參考設計專為碳化硅MOSFET分立器件和模塊而開發，是用于評估其SiC器件產品組合的工程工具。其電路板支持修改柵極電阻值，以容納大部分分立器件和模塊。

與通用型產品相比，新一代電源卡緣連接器的密度提高了30%，具有更佳連接容限，從而實現更可靠連接。TE的獨有設計具有模組化、可擴展的特點，支持配置和PCB設計的更高靈活性。

此類產品是下一代卡緣連接器,可替代當前的SEC-II電源卡緣產品，以獨特的設計實現超高的電流和信號密度.主要應用于數據中心、電信設備、工業自動化設備及電源系統等。

在變頻家電應用方面，展出三款碳化硅功率器件，分別是第一次亮相的全碳化硅DIPIPMTM和碳化硅SBD，另外還有混合/全碳化硅DIPPFCTM。

全碳化硅DIPIPMTM特別適合變頻家電，它采用碳化硅MOSFET損耗更低，效率更高；其碳化硅MOSFET自身體二極管作為FWDi，降低反向恢復電流和噪聲。它與超小型的DIPIPMTM封裝相同，可使用相同的電路板，額定電流覆蓋15A、25A/600V，集成短路保護和欠壓保護，同時有溫度模擬量輸出。

至于碳化硅SBD則可以應用在PFC及光伏發電上。它的損耗比硅器件減少20%，更高I2t，對抗浪涌電流有更強的能力；更強的高頻開關特性，可以使周邊器件小型化(電抗器)，額定電流覆蓋20A/600V。

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