終端產品中電壓調節模塊及DC/DC轉換器應用高性能節省空間和能耗解決方案
發布時間:2023/9/2 23:28:14 訪問次數:83
IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF25V芯片組不但采用了IR最新一代MOSFET硅技術,還具有業界領先的性能指數(FOM)及DirectFET封裝卓越的開關和熱特性,成為一個為高頻率DC-DC開關應用而優化的解決方案,IR通過改善關鍵參數不斷提升功率MOSFET的性能。
新款IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET芯片組把低電荷及低導通電阻(RDS(on))與業界最低的柵極電阻(Rg)相結合,使傳統上由典型同步降壓轉換器的同步和控制接口產生的傳導損耗和開關損耗降到了最低。
1212外形尺寸的新款IHLP小尺寸、高電流電感器:IHLP-1212BZ-11。IHLP-1212BZ-11是迄今為止Vishay最小的IHLP器件,具有3.0×3.6mm的占位、2.0mm的超小尺寸以及0.22μH至1.5μH的標準感值,其最高頻率可達1.0MHz。
新電感可處理高瞬態電流劍鋒,而不會出現硬飽和。電感采用符合RoHS指令、100%無鉛的屏蔽復合結構,可將蜂鳴噪聲減至很低的水平。新器件的工作溫度為-55℃~+125℃,可耐受熱沖擊、潮濕、機械沖擊和振動。
IHLP-1212BZ-11具有0.22μH~1.5μH的感值范圍,飽和電流范圍為4.0A~7.5A,典型DCR為9.5mΩ~27.0mΩ,最大DCR為11.4mΩ~32.0mΩ。
憑借高達1.0MHz的頻率范圍,新的IHLP-1212BZ-11可用做下一代移動設備、筆記本電腦、桌面電腦、圖形卡、便攜式游戲機、個人導航系統、個人多媒體設備和汽車系統;低外形、高電流電源和負載點轉換器(POL);分布式電源系統;現場可編程門陣列(FPGA)等終端產品中電壓調節模塊(VRM)以及DC/DC轉換器應用的高性能、節省空間和能耗解決方案。
IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF25V芯片組不但采用了IR最新一代MOSFET硅技術,還具有業界領先的性能指數(FOM)及DirectFET封裝卓越的開關和熱特性,成為一個為高頻率DC-DC開關應用而優化的解決方案,IR通過改善關鍵參數不斷提升功率MOSFET的性能。
新款IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET芯片組把低電荷及低導通電阻(RDS(on))與業界最低的柵極電阻(Rg)相結合,使傳統上由典型同步降壓轉換器的同步和控制接口產生的傳導損耗和開關損耗降到了最低。
1212外形尺寸的新款IHLP小尺寸、高電流電感器:IHLP-1212BZ-11。IHLP-1212BZ-11是迄今為止Vishay最小的IHLP器件,具有3.0×3.6mm的占位、2.0mm的超小尺寸以及0.22μH至1.5μH的標準感值,其最高頻率可達1.0MHz。
新電感可處理高瞬態電流劍鋒,而不會出現硬飽和。電感采用符合RoHS指令、100%無鉛的屏蔽復合結構,可將蜂鳴噪聲減至很低的水平。新器件的工作溫度為-55℃~+125℃,可耐受熱沖擊、潮濕、機械沖擊和振動。
IHLP-1212BZ-11具有0.22μH~1.5μH的感值范圍,飽和電流范圍為4.0A~7.5A,典型DCR為9.5mΩ~27.0mΩ,最大DCR為11.4mΩ~32.0mΩ。
憑借高達1.0MHz的頻率范圍,新的IHLP-1212BZ-11可用做下一代移動設備、筆記本電腦、桌面電腦、圖形卡、便攜式游戲機、個人導航系統、個人多媒體設備和汽車系統;低外形、高電流電源和負載點轉換器(POL);分布式電源系統;現場可編程門陣列(FPGA)等終端產品中電壓調節模塊(VRM)以及DC/DC轉換器應用的高性能、節省空間和能耗解決方案。