寄生電感和開關尖峰提高1KW 48電源模塊系統整體性能和可靠性
發布時間:2024/3/5 23:13:44 訪問次數:130
全橋LLC DCX拓撲結構，固定變比為4：1，支持48V輸入轉12V輸出，集成Innoscience旗下兩顆100V InnoGaN ISG3201和八顆INN040LA015A低壓GaN芯片。
ISG3201是一顆耐壓100V的半橋氮化鎵合封芯片，其通過內部集成驅動器，優化驅動回路和功率回路，顯著降低寄生電感和開關尖峰，進一步提高1KW 48電源模塊系統的整體性能和可靠性。
芯片還具有獨立的高側和低側PWM信號輸入，并支持TTL電平驅動，可由專用控制器或通用MCU進行驅動控制，是數據中心模塊電源，電機驅動以及D類功率放大器等48V電源系統的最佳選擇。
該設備具有多接口（2個網口、4個串口、4個USB口和1個高清接口），1377-443-0992多協議接入能力（支持IEC101、IEC103、IEC104、MODBUS RTU/TCP及私有協議等），可接入不同廠家的PCS、BMS、表計、溫控系統、消防主機等。同時支持數據轉發，滿足儲能站統一運維的需求。
擴展板可使用I2C和SPI等協議進行控制,它還包括一個嵌入式FP5編程器，用于FPGA結構編程和調試以及固件應用開發。
以人工智能為基礎的SoC芯片內部互連解決方案Orion AI。該方案支持多播與廣播等先進特性，能極大提升人工智能SoC與加速器ASIC的性能與效率，可廣泛應用于數據中心、自動駕駛、AR/VR，以及先進視頻分析。
DC/DC 48V-12V環節在整個鏈路中扮演了重要角色。在這種背景下，基于Innoscience InnoGaN ISG3201和INN040LA015A器件推出1KW DC/DC電源模塊方案，其利用氮化鎵寄生結電容小的特點，配合磁集成方案，將開關頻率提升至1MHz，具有高效率和高功率密度特性。
全橋LLC DCX拓撲結構，固定變比為4：1，支持48V輸入轉12V輸出，集成Innoscience旗下兩顆100V InnoGaN ISG3201和八顆INN040LA015A低壓GaN芯片。
ISG3201是一顆耐壓100V的半橋氮化鎵合封芯片，其通過內部集成驅動器，優化驅動回路和功率回路，顯著降低寄生電感和開關尖峰，進一步提高1KW 48電源模塊系統的整體性能和可靠性。
芯片還具有獨立的高側和低側PWM信號輸入，并支持TTL電平驅動，可由專用控制器或通用MCU進行驅動控制，是數據中心模塊電源，電機驅動以及D類功率放大器等48V電源系統的最佳選擇。
該設備具有多接口（2個網口、4個串口、4個USB口和1個高清接口），1377-443-0992多協議接入能力（支持IEC101、IEC103、IEC104、MODBUS RTU/TCP及私有協議等），可接入不同廠家的PCS、BMS、表計、溫控系統、消防主機等。同時支持數據轉發，滿足儲能站統一運維的需求。
擴展板可使用I2C和SPI等協議進行控制,它還包括一個嵌入式FP5編程器，用于FPGA結構編程和調試以及固件應用開發。
以人工智能為基礎的SoC芯片內部互連解決方案Orion AI。該方案支持多播與廣播等先進特性，能極大提升人工智能SoC與加速器ASIC的性能與效率，可廣泛應用于數據中心、自動駕駛、AR/VR，以及先進視頻分析。
DC/DC 48V-12V環節在整個鏈路中扮演了重要角色。在這種背景下，基于Innoscience InnoGaN ISG3201和INN040LA015A器件推出1KW DC/DC電源模塊方案，其利用氮化鎵寄生結電容小的特點，配合磁集成方案，將開關頻率提升至1MHz，具有高效率和高功率密度特性。
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