溫度監控的內部熱敏電阻和用于信號和電源連接的旋入式端子
發布時間:2024/3/28 8:35:16 訪問次數:57
低電感基于SiC的SP6LI功率模塊。此外，還將展示最近發布的新一代1200V、40mOhm SiC MOSFET器件和1200V、10/30/50A SiC二極管產品，擴大其SiC解決方案的開發工作，已經成為向市場提供一系列Si/SiC功率分立和模塊解決方案的少數供應商之一。
SP6LI產品系列采用專為高電流SiC MOSFET功率模塊而設計的最低雜散電感封裝之一，具有五種標準模塊，在外殼溫度(Tc)為80°C的情況下，提供從1200V、210A至586A;以及Tc同為80°C的情況下達到1700V、207A的相臂拓撲。
SP6LI電源模塊采用由SiC功率MOSFET和SiC肖特基二極管構成的相臂拓撲，每個開關具有低至2.1mOhms的極低RDSon，并提供用于溫度監控的內部熱敏電阻和用于信號和電源連接的旋入式端子，以及用于改善熱性能的隔熱和高導熱性基板(氮化鋁作為標準，氮化硅作為選件)。
此外，標準銅底板可替換為鋁碳化硅(AlSiC)材料選件以實現更高的功率循環能力。
電流、低導通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC) MOSFET功率模塊的極低電感封裝。
多個通用輸入可以實現觸覺時序的低延遲觸發，非常適合包含傳感器中樞和應用處理器的安卓系統。
SP6LI功率模塊可以用于多種工業、汽車、醫療、航天和國防應用領域的開關模式電源和電機控制，示例包括電動車/混合動力車(EV/HEV)動力傳送和動能回收系統、飛機作動器系統、發電系統、開關模式電源，用于電感加熱、醫療電源和列車電氣化等應用的開關模式電源、光伏(PV)/太陽能/風能轉換器 和不間斷電源。
低電感基于SiC的SP6LI功率模塊。此外，還將展示最近發布的新一代1200V、40mOhm SiC MOSFET器件和1200V、10/30/50A SiC二極管產品，擴大其SiC解決方案的開發工作，已經成為向市場提供一系列Si/SiC功率分立和模塊解決方案的少數供應商之一。
SP6LI產品系列采用專為高電流SiC MOSFET功率模塊而設計的最低雜散電感封裝之一，具有五種標準模塊，在外殼溫度(Tc)為80°C的情況下，提供從1200V、210A至586A;以及Tc同為80°C的情況下達到1700V、207A的相臂拓撲。
SP6LI電源模塊采用由SiC功率MOSFET和SiC肖特基二極管構成的相臂拓撲，每個開關具有低至2.1mOhms的極低RDSon，并提供用于溫度監控的內部熱敏電阻和用于信號和電源連接的旋入式端子，以及用于改善熱性能的隔熱和高導熱性基板(氮化鋁作為標準，氮化硅作為選件)。
此外，標準銅底板可替換為鋁碳化硅(AlSiC)材料選件以實現更高的功率循環能力。
電流、低導通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC) MOSFET功率模塊的極低電感封裝。
多個通用輸入可以實現觸覺時序的低延遲觸發，非常適合包含傳感器中樞和應用處理器的安卓系統。
SP6LI功率模塊可以用于多種工業、汽車、醫療、航天和國防應用領域的開關模式電源和電機控制，示例包括電動車/混合動力車(EV/HEV)動力傳送和動能回收系統、飛機作動器系統、發電系統、開關模式電源，用于電感加熱、醫療電源和列車電氣化等應用的開關模式電源、光伏(PV)/太陽能/風能轉換器 和不間斷電源。
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