堆疊式芯片結構通過占據相同磁場位置來確保一致輸出信號特性
發布時間:2024/4/1 11:04:14 訪問次數:74
霍爾效應位置傳感器，具有穩健的雜散場補償能力，并配備比率模擬輸出和開關輸出.
憑借其雙冗余設計脫穎而出，即兩個獨立的芯片堆疊在單一封裝內，并電氣連接到一側引腳。這種堆疊式芯片結構通過占據相同的磁場位置來確保一致的輸出信號特性。
根據ISO 26262標準開發HAR 3920符合ASIL C級要求,適合集成到最高ASIL D級的汽車安全相關系統中。
在消費電子和工業設備應用領域，隨著產品功能的增加，對節省電路板空間的要求越來越嚴格，小型DC-DC轉換器IC的使用率也與日俱增。
傳感器已定義為ASIL C 級，可以集成到汽車安全相關系統中，最高可達ASIL D級.
目標汽車應用場景包括油門或制動踏板位置檢測、離合器位置確定、非接觸式電位器或節流閥位置測量.
的新型雙芯片傳感器HAR 3920-2100*，進一步擴充了Micronas 3DHAL®位置傳感器系列。其設計旨在滿足在存在干擾雜散場的情況下，對線性位置和角度位置進行高精度測量的需求。
OV50K40支持四合一像素合并，像素可達1250萬，幀率支持120幀/秒和60幀/秒（HDR），4倍感光度可實現旗艦級的弱光性能。
四相位檢測（QPD）功能可在傳感器的整個圖像陣列上實現2x2相位檢測自動對焦（PDAF），覆蓋率達100%，從而實現超快的自動對焦性能。片上像素還原算法可實現完整的5000萬像素拜耳輸出、優質8K視頻和2倍裁切變焦功能。
OV50K40采用PureCel®Plus-S晶片堆疊技術，可實現1.2微米像素的高分辨率。
霍爾效應位置傳感器，具有穩健的雜散場補償能力，并配備比率模擬輸出和開關輸出.
憑借其雙冗余設計脫穎而出，即兩個獨立的芯片堆疊在單一封裝內，并電氣連接到一側引腳。這種堆疊式芯片結構通過占據相同的磁場位置來確保一致的輸出信號特性。
根據ISO 26262標準開發HAR 3920符合ASIL C級要求,適合集成到最高ASIL D級的汽車安全相關系統中。
在消費電子和工業設備應用領域，隨著產品功能的增加，對節省電路板空間的要求越來越嚴格，小型DC-DC轉換器IC的使用率也與日俱增。
傳感器已定義為ASIL C 級，可以集成到汽車安全相關系統中，最高可達ASIL D級.
目標汽車應用場景包括油門或制動踏板位置檢測、離合器位置確定、非接觸式電位器或節流閥位置測量.
的新型雙芯片傳感器HAR 3920-2100*，進一步擴充了Micronas 3DHAL®位置傳感器系列。其設計旨在滿足在存在干擾雜散場的情況下，對線性位置和角度位置進行高精度測量的需求。
OV50K40支持四合一像素合并，像素可達1250萬，幀率支持120幀/秒和60幀/秒（HDR），4倍感光度可實現旗艦級的弱光性能。
四相位檢測（QPD）功能可在傳感器的整個圖像陣列上實現2x2相位檢測自動對焦（PDAF），覆蓋率達100%，從而實現超快的自動對焦性能。片上像素還原算法可實現完整的5000萬像素拜耳輸出、優質8K視頻和2倍裁切變焦功能。
OV50K40采用PureCel®Plus-S晶片堆疊技術，可實現1.2微米像素的高分辨率。
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