研諾邏輯科技有限公司，推出業界首款集成式受壓擺率控制的負荷開關——aat4285，它能夠支持12v電壓的應用。aat4285通過將電平位移和壓擺率控制功能集成到一塊單片器件中，使得設計人員在便攜式消費產品領域以及非便攜式工業系統領域的各種新型12v應用中，不僅可以減少功率消耗，而且還可將外圍元器件的使用總數降到最少。

　　“到目前為止，在由5v電壓供電的各種便攜式系統中，我們的各類受壓擺率控制的負荷開關產品已被廣泛地用來取代分立元器件解決方案。”研諾公司的產品線總監phildewsbury說：“aat4285可為采用12v電壓運行的應用提供同樣的功能性，使得設計人員不僅可在諸如檢測設備或攝像機這種較高功率的便攜式系統中，開創性地省去了一個分立的mosfet元件和多達11個外部元件，而且在各種非便攜式工業應用中也同樣可以這樣做。”

快速的負荷開關時間

　　aat4285是一款p－通道mosfet開關，專為高端負荷開關應用而設計。該器件可以在3.0v到13.2v的輸入電壓范圍內運行，在功能上與analogictech的aat4250和aat4280產品相兼容，可提供一個100µs快速負荷開關接通時間，其快速關閉負荷放電能力使得aat4285能夠在開關失效時，快速關閉負載電路。

　　此外，aat4285在12v時，可提供一個240mΩ非常低的rds(on)（典型導通電阻），以將負荷開關功率的處理能力達到最大化；在5v時，rds(on)為320mΩ。aat4285的典型靜態電流為25µa。

新工藝

　　aat4285是采用analogictech的modularbcd處理工藝而生產的首款12v器件。modularbcd工藝與成熟的傳統線性ic制造或通用數字cmos制造工藝的不同之處在于，它首開新一代的模擬、電源與混合信號ic技術，特別是開創了高科技晶圓制造并在ex-dram制造中優化了生產。

　　由于在單塊芯片中，將電壓分別為3v、5v和12v并帶有高速互補場效應管的完全隔離的cmos器件與電壓為30v并無需采用諸如外延附生或高溫擴散等極復雜昂貴的工藝的強勁的dmos功率器件集成一體，新工藝令單片、混合信號及系統型芯片無論在技術上和經濟上都更加可行。因此，采用modularbcd而生產的器件不僅比用傳統工藝生產的器件取得更高的效率、更小的尺寸及更高的集成水平，而且可以幫助移動消費電子產品更好的管理電源并延長電池的使用壽命，這些產品泛及手機、便攜式多媒體播放器、臺式電腦與手提電腦、數碼相機等。

價錢和供貨

　　aat4285的額定工作溫度范圍是-40至+85℃，采用無鉛、8引腳sc70jw封裝，現可供貨。訂貨量為1000片時每片單價為0.68美元。